PRAGER, Lutz, Přemysl MARŠÍK, J. W. GERLACH, Mikhail BAKLANOV, S. NAUMOV, L. PISTOL, Dieter SCHNEIDER, L. WENNRICH, Patrick VERDONCK a M.R. BUCHMEISER. Effect of pressure on efficiency of UV curing of CVD-derived low-k material at different wavelengths. Microelectronic Engineering. Elsevier B.V., 2008, roč. 85, č. 10, s. 2094-2097. ISSN 0167-9317.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Effect of pressure on efficiency of UV curing of CVD-derived low-k material at different wavelengths
Název česky Vliv tlaku na účinnost UV ošetření CVD low-k materiálů za použití různých vlnových délek
Autoři PRAGER, Lutz (276 Německo), Přemysl MARŠÍK (203 Česká republika, garant), J. W. GERLACH (276 Německo), Mikhail BAKLANOV (56 Belgie), S. NAUMOV (276 Německo), L. PISTOL (276 Německo), Dieter SCHNEIDER (276 Německo), L. WENNRICH (276 Německo), Patrick VERDONCK (56 Belgie) a M.R. BUCHMEISER (276 Německo).
Vydání Microelectronic Engineering, Elsevier B.V. 2008, 0167-9317.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Německo
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor Impact factor: 1.583
Kód RIV RIV/00216224:14310/08:00026016
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
UT WoS 000260343600038
Klíčová slova anglicky low-k; UV curing
Štítky low-k, UV curing
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnil: Mgr. Přemysl Maršík, Ph.D., učo 13477. Změněno: 9. 7. 2009 09:55.
Anotace
Low-k dielectrics prepared by CVD in the form of 200 nm thick layers on Si wafers were thermally treated at 410 C and irradiated using UV lamps emitting photons of different wavelengths around 172 nm, 185 nm, and 222 nm. The treatment was performed in high vacuum and under a nitrogen atmosphere at various pressures ranging from 0.1 mbar up to 700 mbar. Subsequently, the samples were investigated using FTIR transmission spectroscopy, contact angle measurement, X-ray photoelectron spectrometry (XPS), time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS), X-ray reflectometry (XRR), surface acoustic wave spectrometry (SAW), and purged UV spectroscopic ellipsometry (PUVSE).
Anotace česky
Low-k dielectrics prepared by CVD in the form of 200 nm thick layers on Si wafers were thermally treated at 410 C and irradiated using UV lamps emitting photons of different wavelengths around 172 nm, 185 nm, and 222 nm. The treatment was performed in high vacuum and under a nitrogen atmosphere at various pressures ranging from 0.1 mbar up to 700 mbar. Subsequently, the samples were investigated using FTIR transmission spectroscopy, contact angle measurement, X-ray photoelectron spectrometry (XPS), time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS), X-ray reflectometry (XRR), surface acoustic wave spectrometry (SAW), and purged UV spectroscopic ellipsometry (PUVSE).
Návaznosti
MSM0021622410, záměrNázev: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
VytisknoutZobrazeno: 27. 4. 2024 10:42