2007
Selective wet etching of amorphous/crystallized Ag/As/S and Ag/As/S/Se chalcogenide thin films
ORAVA, Jiří, Tomáš WAGNER, Miloš KRBAL, Tomáš KOHOUTEK, Milan VLČEK et. al.Základní údaje
Originální název
Selective wet etching of amorphous/crystallized Ag/As/S and Ag/As/S/Se chalcogenide thin films
Název česky
Selektivní leptání amorfních/zkrystalizovaných Ag/As/S a Ag/As/S/Se chalkogenidových tenkých vrstev
Autoři
ORAVA, Jiří (203 Česká republika), Tomáš WAGNER (203 Česká republika), Miloš KRBAL (203 Česká republika), Tomáš KOHOUTEK (203 Česká republika), Milan VLČEK (203 Česká republika), Ludvík BENEŠ (203 Česká republika), Eva KOTULANOVÁ (203 Česká republika), Petr BEZDIČKA (203 Česká republika), Petr KLAPETEK (203 Česká republika, garant) a Miloslav FRUMAR (203 Česká republika)
Vydání
Journal of Physics and Chemistry of Solids, Elsevier, 2007, 0022-3697
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10402 Inorganic and nuclear chemistry
Stát vydavatele
Česká republika
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 0.899
Kód RIV
RIV/00216224:14310/07:00028406
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000247887800068
Klíčová slova anglicky
Chalcogenides;Amorphous materials;Quasicrystals;Thin films;Surface properties
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 19. 6. 2008 11:16, Mgr. Miroslav Valtr, Ph.D.
Anotace
V originále
The paper is focused on the possibilities of selective wet etching of optically and thermally crystallized /amorphous Ag-doped chalcogenide thin films, namely Ag-x(As0.33S0.67)(100-x) and Ag-x(As0.33S0.335Se0.335)(100-x). The selective etching of optically(thermally) crystallized Ag-x(As0.33S0.67)(100-x) and thermally crystallized Ag-x(As0.33S0.335Se0.335)(100-x) thin films in water solution of NaCN is presented. The good surface quality is an important and crucial parameter for optical elements fabrication (e.g. grids, waveguides, etc.) especially in nanometer dimensions. The selective etching of undoped and Ag optically doped region was also carried out to observe surface roughness of doped region before and after selective etching. Characterization of the structure and surface of studied films by Raman spectroscopy, X-ray diffraction, AFM and SEM methods has been done and potential application suggested.
Návaznosti
AV0Z40500505, záměr |
| |
GA203/06/1368, projekt VaV |
| |
MSM0021627501, záměr |
|