J 2007

Selective wet etching of amorphous/crystallized Ag/As/S and Ag/As/S/Se chalcogenide thin films

ORAVA, Jiří, Tomáš WAGNER, Miloš KRBAL, Tomáš KOHOUTEK, Milan VLČEK et. al.

Základní údaje

Originální název

Selective wet etching of amorphous/crystallized Ag/As/S and Ag/As/S/Se chalcogenide thin films

Název česky

Selektivní leptání amorfních/zkrystalizovaných Ag/As/S a Ag/As/S/Se chalkogenidových tenkých vrstev

Autoři

ORAVA, Jiří (203 Česká republika), Tomáš WAGNER (203 Česká republika), Miloš KRBAL (203 Česká republika), Tomáš KOHOUTEK (203 Česká republika), Milan VLČEK (203 Česká republika), Ludvík BENEŠ (203 Česká republika), Eva KOTULANOVÁ (203 Česká republika), Petr BEZDIČKA (203 Česká republika), Petr KLAPETEK (203 Česká republika, garant) a Miloslav FRUMAR (203 Česká republika)

Vydání

Journal of Physics and Chemistry of Solids, Elsevier, 2007, 0022-3697

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10402 Inorganic and nuclear chemistry

Stát vydavatele

Česká republika

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Impakt faktor

Impact factor: 0.899

Kód RIV

RIV/00216224:14310/07:00028406

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

000247887800068

Klíčová slova anglicky

Chalcogenides;Amorphous materials;Quasicrystals;Thin films;Surface properties

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 19. 6. 2008 11:16, Mgr. Miroslav Valtr, Ph.D.

Anotace

V originále

The paper is focused on the possibilities of selective wet etching of optically and thermally crystallized /amorphous Ag-doped chalcogenide thin films, namely Ag-x(As0.33S0.67)(100-x) and Ag-x(As0.33S0.335Se0.335)(100-x). The selective etching of optically(thermally) crystallized Ag-x(As0.33S0.67)(100-x) and thermally crystallized Ag-x(As0.33S0.335Se0.335)(100-x) thin films in water solution of NaCN is presented. The good surface quality is an important and crucial parameter for optical elements fabrication (e.g. grids, waveguides, etc.) especially in nanometer dimensions. The selective etching of undoped and Ag optically doped region was also carried out to observe surface roughness of doped region before and after selective etching. Characterization of the structure and surface of studied films by Raman spectroscopy, X-ray diffraction, AFM and SEM methods has been done and potential application suggested.

Návaznosti

AV0Z40500505, záměr
Název: Progresivní makromolekulární materiály a supramolekulární systémy: syntéza a studium vlastností, jevů a možností využití pro speciální aplikace a moderní technologie
GA203/06/1368, projekt VaV
Název: Příprava a studium amorfních chalkogenidových vrstev a jejich potenciální aplikace pro optický záznam a paměti
MSM0021627501, záměr
Název: Cílená příprava speciálních sloučenin a materiálů a studium jejich fyzikálně-chemických vlastností a nadmolekulárních struktur