2008
Optical characterization of non-stoichiometric silicon nitride films
NEČAS, David, Vratislav PEŘINA, Daniel FRANTA, Ivan OHLÍDAL, Josef ZEMEK et. al.Základní údaje
Originální název
Optical characterization of non-stoichiometric silicon nitride films
Název česky
Optická charakterizace nestechiometrických vrstev nitridu křemíku
Autoři
NEČAS, David (203 Česká republika, garant), Vratislav PEŘINA (203 Česká republika), Daniel FRANTA (203 Česká republika), Ivan OHLÍDAL (203 Česká republika) a Josef ZEMEK (203 Česká republika)
Vydání
physica status solidi (c), Weinheim, WILEY-VCH Verlag GmbH, 2008, 1610-1634
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10306 Optics
Stát vydavatele
Německo
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV
RIV/00216224:14310/08:00025411
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000256862500077
Klíčová slova anglicky
ellipsometry; spectrophotometry; silicon nitride; stoichiometry; optical constants
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 12. 7. 2010 07:35, Mgr. David Nečas, Ph.D.
V originále
Characterizations of non-stoichiometric silicon nitride films prepared by PECVD method onto silicon single crystal substrates are performed using variable angle spectroscopic ellipsometry and spectroscopic reflectometry and Rutherford backscattering spectrometry (RBS). The optical characterization employs a dispersion model based on the parameterization of the density of electronic states of the valence and conduction bands. The thin overlayers onto the upper boundaries of the films are taken into account. The values of the dispersion parameters of the SiNx films and thicknesses of these films and overlayers are determined. The ratios of Si and N atomic fractions in the individual films are evaluated using RBS. The results from the optical method and RBS are correlated.
Česky
Charakterizace nestechiometrických vrstev nitridu křemíku připravených metodou PECVD na křemíkové monokrystalické substráty jsou provedeny pomocí víceúhlové spektroskopické elipsometrie a spektroskopické reflektometrie a Rutherfordova zpětného rozptylu (RBS). Optická charakterizace zaměstnává disperzního modelu založeného na parametrizaci hustoty elektronových stavů z valenčního a vodivostního pásu. Tenké overlayery na horní hranici vrstev jsou vzaty v úvahu. Jsou určeny hodnoty rozptylu parametrů filmů SiNx a tloušťky těchto filmů a overlayerů. Poměry Si a N atomových frakcí jednotlivých vrstev jsou hodnoceny pomocí RBS. Výsledky z optické metody a RBS jsou korelovány.
Návaznosti
| FT-TA3/142, projekt VaV |
| ||
| MSM0021622411, záměr |
|