NEČAS, David, Vratislav PEŘINA, Daniel FRANTA, Ivan OHLÍDAL and Josef ZEMEK. Optical characterization of non-stoichiometric silicon nitride films. physica status solidi (c). Weinheim: WILEY-VCH Verlag GmbH, 2008, vol. 5, No 5, p. 1320-1323. ISSN 1610-1634.
Other formats:   BibTeX LaTeX RIS
Basic information
Original name Optical characterization of non-stoichiometric silicon nitride films
Name in Czech Optická charakterizace nestechiometrických vrstev nitridu křemíku
Authors NEČAS, David (203 Czech Republic, guarantor), Vratislav PEŘINA (203 Czech Republic), Daniel FRANTA (203 Czech Republic), Ivan OHLÍDAL (203 Czech Republic) and Josef ZEMEK (203 Czech Republic).
Edition physica status solidi (c), Weinheim, WILEY-VCH Verlag GmbH, 2008, 1610-1634.
Other information
Original language English
Type of outcome Article in a journal
Field of Study 10306 Optics
Country of publisher Germany
Confidentiality degree is not subject to a state or trade secret
RIV identification code RIV/00216224:14310/08:00025411
Organization unit Faculty of Science
UT WoS 000256862500077
Keywords in English ellipsometry; spectrophotometry; silicon nitride; stoichiometry; optical constants
Tags ellipsometry, optical constants, silicon nitride, Spectrophotometry, stoichiometry
Tags International impact, Reviewed
Changed by Changed by: Mgr. David Nečas, Ph.D., učo 19972. Changed: 12/7/2010 07:35.
Abstract
Characterizations of non-stoichiometric silicon nitride films prepared by PECVD method onto silicon single crystal substrates are performed using variable angle spectroscopic ellipsometry and spectroscopic reflectometry and Rutherford backscattering spectrometry (RBS). The optical characterization employs a dispersion model based on the parameterization of the density of electronic states of the valence and conduction bands. The thin overlayers onto the upper boundaries of the films are taken into account. The values of the dispersion parameters of the SiNx films and thicknesses of these films and overlayers are determined. The ratios of Si and N atomic fractions in the individual films are evaluated using RBS. The results from the optical method and RBS are correlated.
Abstract (in Czech)
Charakterizace nestechiometrických vrstev nitridu křemíku připravených metodou PECVD na křemíkové monokrystalické substráty jsou provedeny pomocí víceúhlové spektroskopické elipsometrie a spektroskopické reflektometrie a Rutherfordova zpětného rozptylu (RBS). Optická charakterizace zaměstnává disperzního modelu založeného na parametrizaci hustoty elektronových stavů z valenčního a vodivostního pásu. Tenké overlayery na horní hranici vrstev jsou vzaty v úvahu. Jsou určeny hodnoty rozptylu parametrů filmů SiNx a tloušťky těchto filmů a overlayerů. Poměry Si a N atomových frakcí jednotlivých vrstev jsou hodnoceny pomocí RBS. Výsledky z optické metody a RBS jsou korelovány.
Links
FT-TA3/142, research and development projectName: Analýza optických vlastností solárních článků.
Investor: Ministry of Industry and Trade of the CR
MSM0021622411, plan (intention)Name: Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek
Investor: Ministry of Education, Youth and Sports of the CR, Study and application of plasma chemical reactions in non-isothermic low temperature plasma and its interaction with solid surface
PrintDisplayed: 14/6/2024 20:00