2008
Influence of N2 and CH4 on depositon rate of boron based thin films prepared by magnetron sputtering
ELIÁŠ, Marek; Pavel SOUČEK a Petr VAŠINAZákladní údaje
Originální název
Influence of N2 and CH4 on depositon rate of boron based thin films prepared by magnetron sputtering
Název česky
Vliv N2 a CH4 na rychlost růstu borových vrstev připravených magnetronovým naprašováním
Autoři
ELIÁŠ, Marek; Pavel SOUČEK a Petr VAŠINA
Vydání
Chemické listy, 2008, 1803-2389
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele
Česká republika
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Odkazy
Označené pro přenos do RIV
Ano
Kód RIV
RIV/00216224:14310/08:00025123
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
EID Scopus
Klíčová slova anglicky
hysteresis; reactive sputtering; hybrid deposition process
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 22. 7. 2024 10:57, Mgr. Marie Novosadová Šípková, DiS.
V originále
The paper study deposition rate of boron based thin films prepared by means of hybrid PVD-PECVD process and derive conclusions about process behaviour. Paper, interdisciplinary study of plasma physics
Česky
Vliv N2 a CH4 na rychlost růstu borových vrstev připravených magnetronovým naprašováním, článek, mezioborova studie
Návaznosti
| GP202/08/P038, projekt VaV |
| ||
| MSM0021622411, záměr |
|