J 2008

Optical Characterization of Ultrananocrystalline Diamond Films

FRANTA, Daniel, Lenka ZAJÍČKOVÁ, Monika KARÁSKOVÁ, Ondřej JAŠEK, David NEČAS et. al.

Základní údaje

Originální název

Optical Characterization of Ultrananocrystalline Diamond Films

Název česky

Optická charakterizace ultrananokrystalických diamantových vrstev

Autoři

FRANTA, Daniel (203 Česká republika, garant), Lenka ZAJÍČKOVÁ (203 Česká republika), Monika KARÁSKOVÁ (203 Česká republika), Ondřej JAŠEK (203 Česká republika), David NEČAS (203 Česká republika), Petr KLAPETEK (203 Česká republika) a Miroslav VALTR (203 Česká republika)

Vydání

Diamond and Related Materials, New York, Elsevier, 2008, 0925-9635

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Spojené státy

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Impakt faktor

Impact factor: 2.092

Kód RIV

RIV/00216224:14310/08:00024370

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

000259598300048

Klíčová slova anglicky

Nanocrystalline carbon; Optical properties characterization; Band structure

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 24. 6. 2009 16:12, Mgr. Ondřej Jašek, Ph.D.

Anotace

V originále

Optical properties of the ultrananocrystalline diamond films were studied by multisample method based on the combination of variable angle spectroscopic ellipsometry and spectroscopic reflectometry applied in the range 0.6-6.5 eV. The films were deposited by PECVD in a conventional bell jar (ASTeX type) reactor using dual frequency discharge, microwave cavity plasma and radio frequency plasma inducing dc self-bias at a substrate holder. The optical model of the samples included a surface roughness described by the Rayleigh-Rice theory and a refractive index profile in which Drude approximation was used. The results conformed with the present understanding of the polycrystalline diamond growth on the silicon substrate because the existence of silicon carbide and amorphous hydrogenated carbon film between the silicon substrate and nucleation layer was proved.

Česky

Optical properties of the ultrananocrystalline diamond films were studied by multisample method based on the combination of variable angle spectroscopic ellipsometry and spectroscopic reflectometry applied in the range 0.6-6.5 eV. The films were deposited by PECVD in a conventional bell jar (ASTeX type) reactor using dual frequency discharge, microwave cavity plasma and radio frequency plasma inducing dc self-bias at a substrate holder. The optical model of the samples included a surface roughness described by the Rayleigh-Rice theory and a refractive index profile in which Drude approximation was used. The results conformed with the present understanding of the polycrystalline diamond growth on the silicon substrate because the existence of silicon carbide and amorphous hydrogenated carbon film between the silicon substrate and nucleation layer was proved.

Návaznosti

GA202/05/0607, projekt VaV
Název: Příprava uhlíkových mikro- a nanostruktur plazmovými technologiemi
Investor: Grantová agentura ČR, Příprava uhlíkových mikro- a nanostruktur plazmovými technologiemi
KAN311610701, projekt VaV
Název: Nanometrologie využívající metod rastrovací sondové mikroskopie
Investor: Akademie věd ČR, Nanometrologie využívající metod rastrovací sondové mikroskopie
MSM0021622411, záměr
Název: Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek