Preparation and characterisation of carbon films prepared from HMDSZ/Methane/Nitrogen or Hydrogen mixture using PECVD

KELAR, Lukáš, Vilma BURŠÍKOVÁ a Zdeněk BOCHNÍČEK. Preparation and characterisation of carbon films prepared from HMDSZ/Methane/Nitrogen or Hydrogen mixture using PECVD. In 2nd Central European Symposium on Plasma Chemistry. 2008.

Základní údaje

• Originální název: Preparation and characterisation of carbon films prepared from HMDSZ/Methane/Nitrogen or Hydrogen mixture using PECVD
• Název česky: Preparation and characterisation of carbon films prepared from HMDSZ/Methane/Nitrogen or Hydrogen mixture using PECVD
• Autoři: KELAR, Lukáš, Vilma BURŠÍKOVÁ a Zdeněk BOCHNÍČEK.
• Vydání: 2nd Central European Symposium on Plasma Chemistry, 2008.

Další údaje

• Originální jazyk: angličtina
• Typ výsledku: Konferenční abstrakt
• Obor: 10305 Fluids and plasma physics
• Stát vydavatele: Česká republika
• Utajení: není předmětem státního či obchodního tajemství
• Organizační jednotka: Přírodovědecká fakulta
• UT WoS: 000208452600039
• Klíčová slova anglicky: Preparation; characterisation; carbon films; HMDSZ; Methane; Nitrogen; Hydrogen; mixture; PECVD
• Štítky: carbon films, characterisation, HMDSZ, Hydrogen, Methane, mixture, Nitrogen, PECVD, Preparation
• Příznaky: Mezinárodní význam

Anotace

Carbon films are often used in various applications. In case of HDLC (amorphous hydrogenated carbon) there may be a problem with internal stress in the film, which can cause cracking or delamination of all the film. It is known that silicon incorporation into the film decreases the internal stress in the film. The aim of the present work was to study the effect of the negative self-bias voltage and the HMDSZ (Si2NC6H19) content in the deposition mixture on the properties of thin films prepared from HMDSZ/methane/nitrogen or hydrogen or argon mixtures.

Anotace česky

Carbon films are often used in various applications. In case of HDLC (amorphous hydrogenated carbon) there may be a problem with internal stress in the film, which can cause cracking or delamination of all the film. It is known that silicon incorporation into the film decreases the internal stress in the film. The aim of the present work was to study the effect of the negative self-bias voltage and the HMDSZ (Si2NC6H19) content in the deposition mixture on the properties of thin films prepared from HMDSZ/methane/nitrogen or hydrogen or argon mixtures.

Návaznosti

• GA202/07/1669, projekt VaV: Název: Depozice termomechanicky stabilních nanostrukturovaných diamantu-podobných tenkých vrstev ve dvojfrekvenčních kapacitních výbojích

Investor: Grantová agentura ČR, Depozice termomechanicky stabilních nanostrukturovaných diamantu-podobných tenkých vrstev ve dvojfrekvenčních kapacitních výbojích