2008
Theoretical studies of epitaxially grown Co and Ni thin films on (111) metallic substrates
ZELENÝ, Martin a Mojmír ŠOBZákladní údaje
Originální název
Theoretical studies of epitaxially grown Co and Ni thin films on (111) metallic substrates
Název česky
Teoretické studium epitaxních vrstev kobaltu a niklu na substrátech s geometrií (111)
Autoři
ZELENÝ, Martin (203 Česká republika) a Mojmír ŠOB (203 Česká republika, garant, domácí)
Vydání
Physical Review B, USA, The American Physical Society, 2008, 1098-0121
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Spojené státy
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 3.322
Kód RIV
RIV/00216224:14310/08:00024420
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000255457400133
Klíčová slova anglicky
elecronic structure; magnetism; thin films; stability
Štítky
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 30. 5. 2012 18:31, prof. RNDr. Mojmír Šob, DrSc.
V originále
Total energies of hcp and trigonally distorted fcc Co and Ni are studied from first principles. Regions of stability of these structures are found and the behavior of the total energies is used to explain and predict the lattice parameters and magnetic states of Co and Ni thin films on various (111) substrates. The stresses needed to keep the thin films coherent with the substrates are also determined. The theoretical results agree surprisingly well with available experimental data.
Česky
Pomocí výpočtů elektronové struktury z prvních principů je studována totální energie trigonálně deformovaného a hexagonálního kobaltu a niklu. Jsou nalezeny oblasti stability těchto struktur a chování totálních energií je použito k objasnění a k předpovězení mřížkových parametrů a magnetických stavů tenkých vrstev Co a Ni na různých substrátech s geometrií (111). Jsou určena i napětí, která jsou nutná k udržení koherence tenké vrstvy a substrátu. Teoretické výsledky souhlasí překvapivě dobře s experimentálními daty
Návaznosti
GA202/06/1509, projekt VaV |
| ||
GD106/05/H008, projekt VaV |
| ||
MSM0021622410, záměr |
|