2009
Precise measurement of thickness distribution of non-uniform thin films by imaging spectroscopic reflectometry
OHLÍDAL, Miloslav, Ivan OHLÍDAL, Petr KLAPETEK a David NEČASZákladní údaje
Originální název
Precise measurement of thickness distribution of non-uniform thin films by imaging spectroscopic reflectometry
Název česky
Přesné měření rozdělení tloušťěk neuniformních vrstev zobrazovací spektrofotometrií
Autoři
OHLÍDAL, Miloslav (203 Česká republika), Ivan OHLÍDAL (203 Česká republika, garant), Petr KLAPETEK (203 Česká republika) a David NEČAS (203 Česká republika)
Vydání
Lisabon, Proceedings of IMEKO XIX World Congress, od s. 100-105, 6 s. 2009
Nakladatel
IMEKO
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Stať ve sborníku
Obor
10306 Optics
Stát vydavatele
Portugalsko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV
RIV/00216224:14310/09:00030121
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
ISBN
978-963-88410-0-1
UT WoS
000275561600016
Klíčová slova česky
neuniformní tenké vrstvy; zobrazovací spektroskopická reflektometrie
Klíčová slova anglicky
non-uniform thin films; imaging spectroscopic reflectometry
Příznaky
Mezinárodní význam
Změněno: 30. 11. 2009 12:16, Mgr. David Nečas, Ph.D.
V originále
A new method of imaging spectroscopic photometry enabling us to perform the complete optical characterization of thin films exhibiting area non-uniformity in optical parameters is presented. An original imaging spectroscopic photometer operating in the reflection mode at normal incidence is used to apply this method. A CCD camera serves as a detector in this photometer. Therefore the spectral dependences of the reflectance of the films characterized are simultaneously measured in small areas of the films surface corresponding to the individual pixels of the CCD camera. These areas form a matrix along a relatively large part of the films surface. The spectral reflectance measured by the individual pixels of the CCD camera is treated separately using the formulae for the reflectance corresponding to the uniform thin films. Using these formulae it is possible to determine the values of the local thickness and local optical constants for every small area of the matrix. In this way it is possible to determine distributions (maps) of the local thickness and local optical constants of the non-uniform films simultaneously in principle. The method described was used to characterize carbon-nitride thin films exhibiting only the thickness non-uniformity deposited by the method of dielectric barrier discharge onto the silicon single crystal substrates.
Česky
Je představena nová metoda zobrazovací spektroskopické fotometrie nám umožňuje provést úplnou optickou charakterizaci tenkých vrstev vykazujících plošnou neuniformitu optických parameterů. Tato metoda využívá originální zobrazovací fotometr pracující v režimu odrazivosti při kolmém dopadu světla. Coby detektor slouží CCD kamera. Spektrální závislosti odrazivosti charakterizované vrstvy jsou tak měřeny v malých oblastech povrchu odpovídajících jednotlivým pixelům CCD kamery. Tyto oblasti tvoří mřížku podél velké části povrchu vrstvy. Spektrální závislosti měření v jednotlivých pixelech jsou zpracovány nezávisle pomocí vzorců pro uniformní tenké vrstvy. S použitím těchto vzorců je možno určit honoty lokální tloušťky a optických konstant v každém místě mřížky. Takto lze současně určit rozdělení (mapu) lokální tloušťky a optických konstant neuniformní vrstvy. Popsaná metoda byla použita k charakterizaci vrstev nitridu uhlíku vykazujících neuniformitu pouze v tloušťce. Vrsvty byly připraveny metodou dielektrického bariérového výboje na křemíkové podložky.
Návaznosti
| FT-TA3/142, projekt VaV |
| ||
| MSM0021622411, záměr |
|