J 2009

X-ray diffraction on precipitates in Czochralski-grown silicon

CAHA, Ondřej and Mojmír MEDUŇA

Basic information

Original name

X-ray diffraction on precipitates in Czochralski-grown silicon

Name in Czech

Rtg difrakce na precipitátech v Czochralského křemíku

Authors

CAHA, Ondřej (203 Czech Republic, guarantor) and Mojmír MEDUŇA (203 Czech Republic)

Edition

Physica B condensed matter, Amsterdam, Elsevier Science, 2009, 0921-4526

Other information

Language

English

Type of outcome

Článek v odborném periodiku

Field of Study

10302 Condensed matter physics

Country of publisher

Netherlands

Confidentiality degree

není předmětem státního či obchodního tajemství

Impact factor

Impact factor: 1.056

RIV identification code

RIV/00216224:14310/09:00029726

Organization unit

Faculty of Science

UT WoS

000276029300035

Keywords (in Czech)

křemík; rtg. difrakce; precipitáty

Keywords in English

Silicon; X-ray diffraction; Precipitates

Tags

International impact, Reviewed
Změněno: 3/1/2010 18:07, doc. Mgr. Ondřej Caha, Ph.D.

Abstract

ORIG CZ

V originále

The results of a study of oxygen precipitates in Czochralski grown silicon are reported. High-resolution X-ray diffraction was used to measure reciprocal space maps on samples after various annealing treatment. The measurements were performed for several diffraction orders and systematic differences between reciprocal space maps around different diffractions were found. The diffuse X-ray scattering intensity was simulated, where the displacement field of precipitates was calculated using continuum elasticity theory. The simulations give correct asymptotic behavior and the interpretation of intermediate region between Huang and core scattering processes is found. The X-ray diffraction results are correlated to the infrared absorption spectroscopy measurement involving the interstitial oxygen concentration.

In Czech

Jsou uvedeny výsledky studie precipitace kyslíku v CZ Si. Rtg difrakce s vysokým rozlišením byla použita pro měření map reciprokého prostoru na vzorcích s různým žíhacím procesem. Měření byla provedena pro několik řádů difrakce a byly zjištěny systematické rozdíly. Byl simulován difuzní rtg rozptyl, kde bylo počítáno pole posunutí od precipitátu za použití teorie elasticity kontinua. Simulace dávají správné asymptotické chování a byla nalezena interpretace oblasti mezi Huangovým rozptylem a rozptylem na jádře. Výsledky rtg difrakce jsou korelovány s měřením infračervené absorpční spektroskopie poskytující koncentraci intersticiálního kyslíku.

Links

GA202/09/1013, research and development project
Name: Nukleace a růst kyslíkových precipitátů v křemíku
Investor: Czech Science Foundation, Nucleation and growth of oxygen precipitates in silicon
GP202/09/P410, research and development project
Name: Řízení elastického napětí v magnetických polovodičích
Investor: Czech Science Foundation, Strain engineering in diluted magnetic semiconductors
MSM0021622410, plan (intention)
Name: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
Investor: Ministry of Education, Youth and Sports of the CR, Physical and chemical properties of advanced materials and structures