X-ray diffraction on precipitates in Czochralski-grown silicon

CAHA, Ondřej and Mojmír MEDUŇA. X-ray diffraction on precipitates in Czochralski-grown silicon. Physica B condensed matter. Amsterdam: Elsevier Science, 2009, vol. 404, 23-24, p. 4626-4629. ISSN 0921-4526.

Basic information

• Original name: X-ray diffraction on precipitates in Czochralski-grown silicon
• Name in Czech: Rtg difrakce na precipitátech v Czochralského křemíku
• Authors: CAHA, Ondřej (203 Czech Republic, guarantor) and Mojmír MEDUŇA (203 Czech Republic).
• Edition: Physica B condensed matter, Amsterdam, Elsevier Science, 2009, 0921-4526.

Other information

• Original language: English
• Type of outcome: Article in a journal
• Field of Study: 10302 Condensed matter physics
• Country of publisher: Netherlands
• Confidentiality degree: is not subject to a state or trade secret
• Impact factor: Impact factor: 1.056
• RIV identification code: RIV/00216224:14310/09:00029726
• Organization unit: Faculty of Science
• UT WoS: 000276029300035
• Keywords (in Czech): křemík; rtg. difrakce; precipitáty
• Keywords in English: Silicon; X-ray diffraction; Precipitates
• Tags: International impact, Reviewed

Abstract

The results of a study of oxygen precipitates in Czochralski grown silicon are reported. High-resolution X-ray diffraction was used to measure reciprocal space maps on samples after various annealing treatment. The measurements were performed for several diffraction orders and systematic differences between reciprocal space maps around different diffractions were found. The diffuse X-ray scattering intensity was simulated, where the displacement field of precipitates was calculated using continuum elasticity theory. The simulations give correct asymptotic behavior and the interpretation of intermediate region between Huang and core scattering processes is found. The X-ray diffraction results are correlated to the infrared absorption spectroscopy measurement involving the interstitial oxygen concentration.

Abstract (in Czech)

Jsou uvedeny výsledky studie precipitace kyslíku v CZ Si. Rtg difrakce s vysokým rozlišením byla použita pro měření map reciprokého prostoru na vzorcích s různým žíhacím procesem. Měření byla provedena pro několik řádů difrakce a byly zjištěny systematické rozdíly. Byl simulován difuzní rtg rozptyl, kde bylo počítáno pole posunutí od precipitátu za použití teorie elasticity kontinua. Simulace dávají správné asymptotické chování a byla nalezena interpretace oblasti mezi Huangovým rozptylem a rozptylem na jádře. Výsledky rtg difrakce jsou korelovány s měřením infračervené absorpční spektroskopie poskytující koncentraci intersticiálního kyslíku.

Links

• GA202/09/1013, research and development project: Name: Nukleace a růst kyslíkových precipitátů v křemíku

Investor: Czech Science Foundation, Nucleation and growth of oxygen precipitates in silicon

• GP202/09/P410, research and development project: Name: Řízení elastického napětí v magnetických polovodičích

Investor: Czech Science Foundation, Strain engineering in diluted magnetic semiconductors

• MSM0021622410, plan (intention): Name: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur

Investor: Ministry of Education, Youth and Sports of the CR, Physical and chemical properties of advanced materials and structures