MEDUŇA, Mojmír, Ondřej CAHA, Josef KUBĚNA, Alan KUBĚNA a Jiří BURŠÍK. Homogenization of CZ Si wafers by Tabula Rasa annealing. In ICDS-25, 25th International Conference on Defects in Semiconductors, July 20-24, 2009 in St. Petersburg. 2009. ISBN 978-5-93634-048-2.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Homogenization of CZ Si wafers by Tabula Rasa annealing
Název česky Homogenizace CZ Si desek pomocí žíhání Tabula Rasa
Autoři MEDUŇA, Mojmír, Ondřej CAHA, Josef KUBĚNA, Alan KUBĚNA a Jiří BURŠÍK.
Vydání ICDS-25, 25th International Conference on Defects in Semiconductors, July 20-24, 2009 in St. Petersburg, 2009.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Konferenční abstrakt
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Rusko
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
ISBN 978-5-93634-048-2
UT WoS 000276029300038
Klíčová slova česky křemík; infra red; precipitáty
Klíčová slova anglicky Silicon; Infra red; Precipitates
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnil: Mgr. Ondřej Caha, Ph.D., učo 4414. Změněno: 9. 4. 2010 14:49.
Anotace
The differences in oxygen precipitation, precipitate morphology and evolution of point defects in samples with and without Tabula Rasa applied were studied by experimental techniques such us infrared absorption spectroscopy, transmission electron microscopy, etching techniques and x-ray diffraction.
Anotace česky
Rozdíly v precipitaci kyslíku, morfologie precipitátů a vývoj bodových defektů byly studovány pomocí experimentálních technik jako jsou infračervená absorpce, transmisní elektronová mikroskopie, leptací techniky a rtg difrakce.
Návaznosti
GA202/09/1013, projekt VaVNázev: Nukleace a růst kyslíkových precipitátů v křemíku
Investor: Grantová agentura ČR, Nukleace a růst kyslíkových precipiátů v křemíku
MSM0021622410, záměrNázev: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
VytisknoutZobrazeno: 26. 4. 2024 23:22