a 2009

Homogenization of CZ Si wafers by Tabula Rasa annealing

MEDUŇA, Mojmír, Ondřej CAHA, Josef KUBĚNA, Alan KUBĚNA, Jiří BURŠÍK et. al.

Základní údaje

Originální název

Homogenization of CZ Si wafers by Tabula Rasa annealing

Název česky

Homogenizace CZ Si desek pomocí žíhání Tabula Rasa

Autoři

Vydání

ICDS-25, 25th International Conference on Defects in Semiconductors, July 20-24, 2009 in St. Petersburg, 2009

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Konferenční abstrakt

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Rusko

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

ISBN

978-5-93634-048-2

UT WoS

000276029300038

Klíčová slova česky

křemík; infra red; precipitáty

Klíčová slova anglicky

Silicon; Infra red; Precipitates

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 9. 4. 2010 14:49, doc. Mgr. Ondřej Caha, Ph.D.

Anotace

ORIG CZ

V originále

The differences in oxygen precipitation, precipitate morphology and evolution of point defects in samples with and without Tabula Rasa applied were studied by experimental techniques such us infrared absorption spectroscopy, transmission electron microscopy, etching techniques and x-ray diffraction.

Česky

Rozdíly v precipitaci kyslíku, morfologie precipitátů a vývoj bodových defektů byly studovány pomocí experimentálních technik jako jsou infračervená absorpce, transmisní elektronová mikroskopie, leptací techniky a rtg difrakce.

Návaznosti

GA202/09/1013, projekt VaV
Název: Nukleace a růst kyslíkových precipitátů v křemíku
Investor: Grantová agentura ČR, Nukleace a růst kyslíkových precipiátů v křemíku
MSM0021622410, záměr
Název: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur