URBANOWICZ, Adam, Denis SHAMIRYAN, Přemysl MARŠÍK, Youssef TRAVALY, Patrick VERDONCK, Kris VANSTREELS, Abdelkarim FERCHICHI, David DE ROEST, Hessel SPREY, Kiyohiro MATSUSHITA, Shinya KANEKO, N. TSUI, Shijian LUO, Orlando ESCORCIA, Ivan BERRY, Carlo WALDFRIED, Stefan DE GENDT a Mikhail BAKLANOV. Improved low-k dielectric properties using He/H2 plasma for resist removal. In Advanced Metallization Conference - AMC 2008. 2008.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Improved low-k dielectric properties using He/H2 plasma for resist removal
Název česky Zlepšení vlastností low-k dilelektrika pomocí He/H2 plazmy pro odtranění resistu
Autoři URBANOWICZ, Adam (616 Polsko), Denis SHAMIRYAN (56 Belgie), Přemysl MARŠÍK (203 Česká republika, garant), Youssef TRAVALY (56 Belgie), Patrick VERDONCK (56 Belgie), Kris VANSTREELS (56 Belgie), Abdelkarim FERCHICHI (56 Belgie), David DE ROEST (56 Belgie), Hessel SPREY (56 Belgie), Kiyohiro MATSUSHITA (392 Japonsko), Shinya KANEKO (392 Japonsko), N. TSUI (392 Japonsko), Shijian LUO (840 Spojené státy), Orlando ESCORCIA (840 Spojené státy), Ivan BERRY (840 Spojené státy), Carlo WALDFRIED (840 Spojené státy), Stefan DE GENDT (56 Belgie) a Mikhail BAKLANOV (56 Belgie).
Vydání Advanced Metallization Conference - AMC 2008, 2008.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Prezentace na konferencích
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Spojené státy
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV RIV/00216224:14310/08:00038410
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
Klíčová slova anglicky low-k; strip plasma; porogen residues
Příznaky Mezinárodní význam
Změnil Změnil: Mgr. Přemysl Maršík, Ph.D., učo 13477. Změněno: 14. 1. 2010 14:53.
Anotace
Aurora ELK low-k films, deposited using a PECVD porogen-based process, were treated with 35 s of He/H2 downstream-plasma (DSP) at varied temperatures of 25 C, 200 C, 300 C and 350 C. The plasma modifications were investigated using various physical-chemical methods. Results showed that extended He/H2 DSP plasma exposure at elevated temperature may lead to k-value reduction due to porosity increase without hydrophilisation of the modified layer. Improvement in dielectric constant is accompanied by a small reduction of mechanical strength. The porosity increase was related to removal of porogen residues formed during the ultra-violet (UV) curing. The porogen residue removal signature was reflected in the optical properties in the UV range and the C-depth profile of the investigated low-k material.
Anotace česky
Aurora ELK low-k films, deposited using a PECVD porogen-based process, were treated with 35 s of He/H2 downstream-plasma (DSP) at varied temperatures of 25 C, 200 C, 300 C and 350 C. The plasma modifications were investigated using various physical-chemical methods. Results showed that extended He/H2 DSP plasma exposure at elevated temperature may lead to k-value reduction due to porosity increase without hydrophilisation of the modified layer. Improvement in dielectric constant is accompanied by a small reduction of mechanical strength. The porosity increase was related to removal of porogen residues formed during the ultra-violet (UV) curing. The porogen residue removal signature was reflected in the optical properties in the UV range and the C-depth profile of the investigated low-k material
Návaznosti
MSM0021622410, záměrNázev: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
VytisknoutZobrazeno: 27. 4. 2024 08:46