2010
Structural and defect changes of hydrogenated SiGe films due to annealing up to 600°C
SLÁDEK, Petr, Vilma BURŠÍKOVÁ a Pavel SŤAHELZákladní údaje
Originální název
Structural and defect changes of hydrogenated SiGe films due to annealing up to 600°C
Autoři
SLÁDEK, Petr (203 Česká republika, garant, domácí), Vilma BURŠÍKOVÁ (203 Česká republika, domácí) a Pavel SŤAHEL (203 Česká republika, domácí)
Vydání
physica status solidi (c), Weinheim, WILEY-VCH Verlag GmbH, 2010, 1610-1642
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Německo
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Odkazy
Kód RIV
RIV/00216224:14310/10:00040517
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000287213400079
Klíčová slova česky
SiGe; tenké vrstvy; depoziční podmínky; struktura; vlastnosti mřížky
Klíčová slova anglicky
SiGe; thin films; deposition conditions; structure; lattice properties
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 3. 2. 2020 15:24, Dana Nesnídalová
Anotace
V originále
In order to better understand the effects of the hydrogen incorporation on the defects and the disorder in the undoped nano/microcrystalline SiGe:H, we performed a comparative study on samples deposited under different plasma conditions. With variation of the pressure, we were able to change the structure of SiGe:H films. We have used the combination of the infrared spectroscopy, CPM, PDS and thermal desorption measurements to study the thermal dependence of defect density, disorder, as well as hydrogen concentration. The film mechanical properties were tested by depth sensing indentation technique. The results showing a different hydrogen bonding with the change of deposition conditions are interpreted as a whole by terms of the specific local hydrogen bonding environment, related to different growth mechanism.
Návaznosti
| KAN311610701, projekt VaV |
|