2010
Deposition of hard thin films from HMDSO in atmospheric pressure dielectric barrier discharge
TRUNEC, David, Lenka ZAJÍČKOVÁ, Vilma BURŠÍKOVÁ, Filip STUDNIČKA, Pavel SŤAHEL et. al.Základní údaje
Originální název
Deposition of hard thin films from HMDSO in atmospheric pressure dielectric barrier discharge
Název česky
Depozice tvrdých tenkých vrstev z HMDSO v dielektrickém bariérovém výboji za atmosférického tlaku
Autoři
TRUNEC, David (203 Česká republika, garant, domácí), Lenka ZAJÍČKOVÁ (203 Česká republika, domácí), Vilma BURŠÍKOVÁ (203 Česká republika, domácí), Filip STUDNIČKA (203 Česká republika, domácí), Pavel SŤAHEL (203 Česká republika, domácí), Vadym PRYSIAZHNYI (804 Ukrajina, domácí), Vratislav PEŘINA (203 Česká republika), Jana HOUDKOVÁ (203 Česká republika), Zdeněk NAVRÁTIL (203 Česká republika, domácí) a Daniel FRANTA (203 Česká republika, domácí)
Vydání
Journal of Physics D: Applied Physics, Bristol, England, IOP Publishing Ltd. 2010, 0022-3727
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele
Velká Británie a Severní Irsko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Odkazy
Impakt faktor
Impact factor: 2.109
Kód RIV
RIV/00216224:14310/10:00043949
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000277871500011
Klíčová slova česky
depozice tenkých vrstev; výboj za atmosférického tlaku
Klíčová slova anglicky
thin film deposition; atmospheric pressure discharge
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 27. 3. 2013 09:10, doc. Mgr. Lenka Zajíčková, Ph.D.
V originále
An atmospheric pressure dielectric barrier discharge burning in nitrogen with a small admixture of hexamethyldisiloxane (HMDSO) was used for the deposition of thin organosilicon films. The thin films were deposited on glass, silicon and polycarbonate substrates, and the substrate temperature during the deposition process was increased up to values within the range 25 - 150 C in order to obtain hard SiOx-like thin films.
Česky
Dielektrický bariérový výboj hořící za atmosférického tlaku v dusíku s příměsí hexametyldisiloxanu byl použit pro depozici tenkých organosilikonových vrstev. Tenké vrstvy byly deponovány na skleněných, křemíkových a polykarbonátových substrátech a teplota substrátu byla v průběhu depozičního procesu zvýšena na hodnoty v rozmezí 25 - 150 C za účelem získání tvrdých SiOx podobných vrstev-
Návaznosti
| MSM0021622411, záměr |
|