J 2010

Effect of Fe doping on optical properties of freestanding semi-insulating HVPE GaN:Fe

GLADKOV, Petar, Josef HUMLÍČEK, Eduard HULICIUS, Tomislav ŠIMEČEK, Tanya PASKOVA et. al.

Základní údaje

Originální název

Effect of Fe doping on optical properties of freestanding semi-insulating HVPE GaN:Fe

Název česky

Vliv legování Fe na optické vlastnosti semiizolačních substrátů HVPE GaN:Fe

Autoři

GLADKOV, Petar (203 Česká republika), Josef HUMLÍČEK (203 Česká republika, garant, domácí), Eduard HULICIUS (203 Česká republika), Tomislav ŠIMEČEK (203 Česká republika), Tanya PASKOVA (840 Spojené státy) a Keith EVANS (840 Spojené státy)

Vydání

Journal of crystal growth, Amsterdam, Elsevier Science, 2010, 0022-0248

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Nizozemské království

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Impakt faktor

Impact factor: 1.746

Kód RIV

RIV/00216224:14310/10:00044122

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

000277039100034

Klíčová slova česky

doping Fe; optická charakterizace; hydridová epitaxe z par; nitridy

Klíčová slova anglicky

Fe-doping; optical characterization; hydride vapor phase epitaxy; nitrides

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 3. 1. 2011 14:03, prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc.

Anotace

ORIG CZ

V originále

Systematic study of optical properties of undoped and Fe-doped substrates grown by hydride vapor phase epitaxy has revealed a strong dependence of the photoluminescence, transmission, reflectivity and ellipsometric spectra on the Fe-doping level. The changes of the near-band-gap transmission, reflectivity and photoluminescence has been observed and ascribed to the absorption introduced by the density of states tails, and the Fe3+ -ions incorporated in the GaN-lattice. Several approaches towards quantifying the Fe-doping level are suggested.

Česky

Systematické studium optických vlastností nedopovaných a železem dopovaných substrátů GaN odhalilo silnou závislost fotoluminiscenčních, transmisních, reflexních a elipsometrických spekter na úrovni legování. Změny transmise, reflexe a fotoluminiscence v blízkosti gapu byly připsány absorpci způsobené chvosty hustoty stavů a ionty Fe3+ zabudovanými do mříže GaN. Navrhujeme několik přístupů ke kvantifikaci úrovně legování.

Návaznosti

MSM0021622410, záměr
Název: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur