2010
Optical and mechanical characterization of ultrananocrystalline diamond films prepared in dual frequency discharges
KARÁSKOVÁ, Monika, Lenka ZAJÍČKOVÁ, Vilma BURŠÍKOVÁ, Daniel FRANTA, David NEČAS et. al.Základní údaje
Originální název
Optical and mechanical characterization of ultrananocrystalline diamond films prepared in dual frequency discharges
Autoři
KARÁSKOVÁ, Monika (203 Česká republika, garant), Lenka ZAJÍČKOVÁ (203 Česká republika, domácí), Vilma BURŠÍKOVÁ (203 Česká republika, domácí), Daniel FRANTA (203 Česká republika, domácí), David NEČAS (203 Česká republika, domácí), Olga BLÁHOVÁ (203 Česká republika) a Jiří ŠPERKA (203 Česká republika, domácí)
Vydání
Surface & coatings technology, Elsevier Science, 2010, 0257-8972
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele
Nizozemské království
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 2.141
Kód RIV
RIV/00216224:14310/10:00040570
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000275692100026
Klíčová slova anglicky
ultrananocrystalline diamond; bias enhanced nucleation; indentation hardness; ellipsometry; FTIR
Změněno: 27. 3. 2013 09:11, doc. Mgr. Lenka Zajíčková, Ph.D.
Anotace
V originále
Ultrananocrystalline diamond (UNCD) films were deposited directly on polished c-Si substrates in microwave discharge (2.45 GHz) combined with rf capacitive plasma (13.56 MHz) ignited at the substrate electrode. The rf discharge induced a dc self-bias accelerating ions towards the growing film during the whole deposition process. The substrate was either preheated in hydrogen discharge to the deposition temperature of 900 C or the deposition of intermediate layer started at about 200 C and reached 900 C in the 5th minute. The latter procedure resulted in the deposition of coating with the hardness of 70 GPa and very good fracture toughness. The analysis of optical measurement in UV-IR range confirmed the presence of 250 nm thick intermediate layer containing DLC and SiC materials.
Návaznosti
GA202/07/1669, projekt VaV |
| ||
KAN311610701, projekt VaV |
| ||
MSM0021622411, záměr |
|