Electronic structure of InAs quantum dots with GaAsSb strain
reducing layer: Localization of holes and its effect on the
optical properties

J 2010

Electronic structure of InAs quantum dots with GaAsSb strain reducing layer: Localization of holes and its effect on the optical properties

KLENOVSKÝ, Petr, Vlastimil KŘÁPEK, Dominik MUNZAR a Josef HUMLÍČEK

Základní údaje

Originální název

Electronic structure of InAs quantum dots with GaAsSb strain reducing layer: Localization of holes and its effect on the optical properties

Název česky

Electronic structure of InAs quantum dots with GaAsSb strain reducing layer: Localization of holes and its effect on the optical properties

Autoři

KLENOVSKÝ, Petr (203 Česká republika, domácí), Vlastimil KŘÁPEK (203 Česká republika), Dominik MUNZAR (203 Česká republika, domácí) a Josef HUMLÍČEK (203 Česká republika, garant, domácí)

Vydání

Applied Physics Letters, USA, American institute of physics, 2010, 0003-6951

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Spojené státy

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

URL

Impakt faktor

Impact factor: 3.841

Kód RIV

RIV/00216224:14310/10:00045413

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

000284545200055

Klíčová slova anglicky

band structure; gallium arsenide; gallium compounds; III-V semiconductors; indium compounds; k.p calculations; photoluminescence; red shift; semiconductor quantum dots

Štítky

quantum dots, strain reducing layer

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno

Změněno: 26. 1. 2011 13:20, prof. Mgr. Dominik Munzar, Dr.

Anotace

V originále

The electronic structure of InAs quantum dots covered with the GaAs1-ySby strain reducing layer has been studied using the k.p theory. We explain previous experimental observations of the red shift of the photoluminescence emission with increasing y and its blue shift with increasing excitation power. For y>0.19, type-II dots are formed with holes localized in the GaAsSb close to the dot base; two segments at the opposite sides of the dot, forming molecular-like states, result from the piezoelectric field. We also propose an experiment that could be used to identify the hole localization using a vertical electric field.

Návaznosti

GA202/09/0676, projekt VaV

Název: Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách

Investor: Grantová agentura ČR, Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách

MSM0021622410, záměr

Název: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur

MUNI/A/1047/2009, interní kód MU

Název: Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů

Investor: Masarykova univerzita, Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů, DO R. 2020_Kategorie A - Specifický výzkum - Studentské výzkumné projekty

Citovat

KLENOVSKÝ, Petr, Vlastimil KŘÁPEK, Dominik MUNZAR a Josef HUMLÍČEK. Electronic structure of InAs quantum dots with GaAsSb strain reducing layer: Localization of holes and its effect on the optical properties. Applied Physics Letters. USA: American institute of physics, 2010, roč. 97, č. 203107, 3 s. ISSN 0003-6951.

@article{908032,
   author = {Klenovský, Petr and Křápek, Vlastimil and Munzar, Dominik and Humlíček, Josef},
   article_location = {USA},
   article_number = {203107},
   keywords = {band structure; gallium arsenide; gallium compounds; III-V semiconductors; indium compounds; k.p calculations; photoluminescence; red shift; semiconductor quantum dots},
   language = {eng},
   issn = {0003-6951},
   journal = {Applied Physics Letters},
   title = {Electronic structure of InAs quantum dots with GaAsSb strain reducing layer: Localization of holes and its effect on the optical properties},
   url = {http://link.aip.org/link/?APL/97/203107},
   volume = {97},
   year = {2010}
}

TY  - JOUR
ID  - 908032
AU  - Klenovský, Petr - Křápek, Vlastimil - Munzar, Dominik - Humlíček, Josef
PY  - 2010
TI  - Electronic structure of InAs quantum dots with GaAsSb strain reducing layer: Localization of holes and its effect on the optical properties
JF  - Applied Physics Letters
VL  - 97
IS  - 203107
PB  - American institute of physics
SN  - 00036951
KW  - band structure
KW  - gallium arsenide
KW  - gallium compounds
KW  - III-V semiconductors
KW  - indium compounds
KW  - k.p calculations
KW  - photoluminescence
KW  - red shift
KW  - semiconductor quantum dots
UR  - http://link.aip.org/link/?APL/97/203107
N2  - The electronic structure of InAs quantum dots covered with the GaAs1-ySby strain reducing layer has been studied using the k.p theory. We explain previous experimental observations of the red shift of the photoluminescence emission with increasing y and its blue shift with increasing excitation power. For y>0.19, type-II dots are formed with holes localized in the GaAsSb close to the dot base; two segments at the opposite sides of the dot, forming molecular-like states, result from the piezoelectric field. We also propose an experiment that could be used to identify the hole localization using a vertical electric field.
ER  -

KLENOVSKÝ, Petr, Vlastimil KŘÁPEK, Dominik MUNZAR a Josef HUMLÍČEK. Electronic structure of InAs quantum dots with GaAsSb strain reducing layer: Localization of holes and its effect on the optical properties. \textit{Applied Physics Letters}. USA: American institute of physics, 2010, roč.~97, č.~203107, 3 s. ISSN~0003-6951.

Podrobný výpis o publikaci