SVOBODA, Milan, Jiří BURŠÍK, Mojmír MEDUŇA, Ondřej CAHA a Josef KUBĚNA. Defect Engineering in Czochralski-grown Silicon Studied by TEM. 2010. ISBN 978-85-63273-06-2.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Defect Engineering in Czochralski-grown Silicon Studied by TEM
Název česky Inženýrství defenktů v CZ Si studovaném pomocí TEM
Autoři SVOBODA, Milan (203 Česká republika, garant), Jiří BURŠÍK (203 Česká republika), Mojmír MEDUŇA (203 Česká republika, domácí), Ondřej CAHA (203 Česká republika, domácí) a Josef KUBĚNA (203 Česká republika, domácí).
Vydání 2010.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Konferenční abstrakt
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Brazílie
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV RIV/00216224:14310/10:00046560
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
ISBN 978-85-63273-06-2
Klíčová slova anglicky oxygen precipitates; silicon; electron microscopy
Změnil Změnil: RNDr. Jiří Buršík, DSc., učo 54857. Změněno: 19. 1. 2012 18:29.
Anotace
As a part of a complex study of nucleation and growth of oxygen precipitates in Czochralski-grown silicon this work reports our latest results obtained by TEM.
Anotace česky
Jako součást složité studie nukleace a růstu kyslíkových precipitátů v CZ křemíku, tato práce popisuje výsledky získané z transmisní elektronové mikroskopie.
Návaznosti
GA202/09/1013, projekt VaVNázev: Nukleace a růst kyslíkových precipitátů v křemíku
Investor: Grantová agentura ČR, Nukleace a růst kyslíkových precipiátů v křemíku
MSM0021622410, záměrNázev: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
VytisknoutZobrazeno: 27. 4. 2024 00:12