2011
Role vodíku na strukturální změny SiGe:H vrstev
SLÁDEK, Petr, Vilma BURŠÍKOVÁ a Pavel SŤAHELZákladní údaje
Originální název
Role vodíku na strukturální změny SiGe:H vrstev
Název anglicky
Role of hydrogen on structural changes in SiGe:H films
Autoři
SLÁDEK, Petr (203 Česká republika, garant, domácí), Vilma BURŠÍKOVÁ (203 Česká republika, domácí) a Pavel SŤAHEL (203 Česká republika, domácí)
Vydání
Brno, Sborník příspěvků 5. České fotovoltaické konference, od s. 50-54, 5 s. 2011
Nakladatel
Czech RE Agency, o.p.s.
Další údaje
Jazyk
čeština
Typ výsledku
Stať ve sborníku
Obor
10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele
Česká republika
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Forma vydání
tištěná verze "print"
Kód RIV
RIV/00216224:14410/11:00049408
Organizační jednotka
Pedagogická fakulta
ISBN
978-80-254-8906-2
Klíčová slova česky
vodík; tenké vrstvy; SiGe
Klíčová slova anglicky
hydrogen; thin films; SiGe
Změněno: 26. 3. 2013 09:05, doc. RNDr. Vilma Buršíková, Ph.D.
V originále
Příspěvek je zaměřen na studium vlivu role vodíku na vlastnosti tenkých vrstev SiGe:H. Pro zjištění optoelektronických vlastností vrstev byly použity metody IČ, PDS, CPM, a dynamická intendační metoda pro stanovení mechanických vlastností. Navíc byly vzorky podrobeny měření termální desorpce vodíku. Výsledky ukazují na různé zabudování vodíku se změnami depozičních podmínek.
Anglicky
The paper focuses on studying the impact of the role of hydrogen on the properties of thin layers of SiGe: H. To determine the optoelectronic properties of films we used IR, PDS, CPM and intendation dynamic method for determining the mechanical properties. In addition, samples were subjected to measurements of the thermal desorption of hydrogen. The results indicate a different incorporation of hydrogen in films with variation of the deposition conditions.
Návaznosti
| KAN311610701, projekt VaV |
|