Dielectric response and structure of amorphous hydrogenated carbon films with nitrogen admixture

ZAJÍČKOVÁ, Lenka, Daniel FRANTA, David NEČAS, Vilma BURŠÍKOVÁ, Mihai George MURESAN, Vratislav PEŘINA a Christoph COBET. Dielectric response and structure of amorphous hydrogenated carbon films with nitrogen admixture. Thin Solid Films. Elsevier, 2011, roč. 519, č. 13, s. 4299-4308. ISSN 0040-6090. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.02.021.

Základní údaje

Originální název

Dielectric response and structure of amorphous hydrogenated carbon films with nitrogen admixture

Autoři

ZAJÍČKOVÁ, Lenka (203 Česká republika, garant, domácí), Daniel FRANTA (203 Česká republika, domácí), David NEČAS (203 Česká republika, domácí), Vilma BURŠÍKOVÁ (203 Česká republika, domácí), Mihai George MURESAN (642 Rumunsko, domácí), Vratislav PEŘINA (203 Česká republika, domácí) a Christoph COBET (276 Německo)

Vydání

Thin Solid Films, Elsevier, 2011, 0040-6090

---

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Nizozemské království

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

URL

Impakt faktor

Impact factor: 1.890

Kód RIV

RIV/00216224:14310/11:00049805

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

DOI

http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.02.021

UT WoS

000290187100030

Klíčová slova anglicky

Diamond-like carbon; Amorphous hydrogenated carbon; Optical properties; Band structure

Štítky

AKR, rivok

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno

---

Anotace

V originále

The optical properties and structure of a-C:H films were modified by addition of nitrogen into the CH4/H2 deposition mixture. Three films prepared in capacitively coupled rf discharge were compared: (a) hydrogenated diamond like carbon film with hydrogen content of 34 % and indentation hardness of 21.7 GPa, (b) hard a-C:H:N film with nitrogen content of 13 % and indentation hardness of 18.5 GPa and (c) soft a-C:H:N film with nitrogen content of 10 % and indentation hardness of 6.7 GPa. It is shown how the parametrized density of states model describing dielectric response of electronic interband transitions can be applied to modified a-C:H:N and how it can be combined with correct treatment of transmittance measured in infrared range using additional Gaussian peaks in joint density of phonon states. This analysis resulted in determination of film dielectric function in wide spectral range (0.045-30 eV) and provided also information about the density of states of valence and conduction bands and lattice vibrations.

---

Návaznosti

FT-TA5/114, projekt VaV	Název: Vývoj technologie vytváření PECVD vrstev pro výrobu automobilové světelné techniky Investor: Ministerstvo průmyslu a obchodu ČR, Vývoj technologie vytváření PECVD vrstev pro výrobu automobilové světelné techniky
GA202/07/1669, projekt VaV	Název: Depozice termomechanicky stabilních nanostrukturovaných diamantu-podobných tenkých vrstev ve dvojfrekvenčních kapacitních výbojích Investor: Grantová agentura ČR, Depozice termomechanicky stabilních nanostrukturovaných diamantu-podobných tenkých vrstev ve dvojfrekvenčních kapacitních výbojích
GD104/09/H080, projekt VaV	Název: Plazmochemické procesy a jejich technologické aplikace Investor: Grantová agentura ČR, Plazmochemické procesy a jejich technologické aplikace
MSM0021622411, záměr	Název: Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek