2011
Plasma treatment of silicon surface by DCSBD
SKÁCELOVÁ, Dana, Pavel SŤAHEL, Martin HANIČINEC a Mirko ČERNÁKZákladní údaje
Originální název
Plasma treatment of silicon surface by DCSBD
Autoři
SKÁCELOVÁ, Dana (203 Česká republika, garant, domácí), Pavel SŤAHEL (203 Česká republika, domácí), Martin HANIČINEC (203 Česká republika, domácí) a Mirko ČERNÁK (203 Česká republika, domácí)
Vydání
Acta Technica CSAV, Praha, ČR, ČSAV Praha, 2011, 0001-7043
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele
Česká republika
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV
RIV/00216224:14310/11:00049476
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
Klíčová slova anglicky
Silicon surface plasma treatment DBD discharge AFM contact angle measurement
Změněno: 5. 4. 2012 16:34, Mgr. Dana Skácelová, Ph.D.
Anotace
V originále
This paper focuses on the plasma treatment of crystalline Si (100) surface. The plasma was generated by Diffuse Coplanar Surface Barrier Discharge (DCSBD) at atmospheric pressure using ambient atmosphere. Surface free energy of silicon was investigated by contact angle measurement and surface morphology was studied by Atomic force microscope. Plasma treatment increases the surface wettability and AFM measurements showed that the plasma influences also the surface roughness.
Návaznosti
| KAN101630651, projekt VaV |
| ||
| MSM0021622411, záměr |
|