2011
Surface morphology and magnetic anisotropy in (Ga,Mn)As
PIANO, S., X. MARTI, A. W. RUSHFORTH, K. W. EDMONDS, R. P. CAMPION et. al.Základní údaje
Originální název
Surface morphology and magnetic anisotropy in (Ga,Mn)As
Název česky
Morfologie povrchu a magnetická anizotropie v (Ga,Mn)As
Autoři
PIANO, S. (826 Velká Británie a Severní Irsko), X. MARTI (724 Španělsko), A. W. RUSHFORTH (826 Velká Británie a Severní Irsko), K. W. EDMONDS (826 Velká Británie a Severní Irsko), R. P. CAMPION (826 Velká Británie a Severní Irsko), M. WANG (826 Velká Británie a Severní Irsko), Ondřej CAHA (203 Česká republika), T. U. SHUELLI (276 Německo), Václav HOLÝ (203 Česká republika, garant, domácí) a B. L. GALLAGHER (826 Velká Británie a Severní Irsko)
Vydání
Applied Physics Letters, USA, American Institute of Physics, 2011, 0003-6951
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Spojené státy
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 3.844
Kód RIV
RIV/00216224:14310/11:00057230
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000289580800039
Klíčová slova česky
Mikroskopie atomové síly; feromagnetocké materiály; GaAs; III-V polovodiče
Klíčová slova anglicky
atomic force microscopy; ferromagnetic materials; gallium arsenide; III-V semiconductors
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 12. 4. 2013 10:33, Ing. Andrea Mikešková
V originále
Atomic force microscopy and grazing incidence x-ray diffraction measurements have revealed the presence of ripples, aligned along the [1 -1 0] direction on the surface of (Ga,Mn)As layers grown on GaAs(001) substrates and buffer layers, with periodicity of about 50 nm in all samples that have been studied. These samples show the strong symmetry breaking uniaxial magnetic anisotropy normally observed in such materials. We observe a clear correlation between the amplitude of the surface ripples and the strength of the uniaxial magnetic anisotropy component suggesting that these ripples might be the source of such anisotropy.
Česky
Mikroskopie atomové síly a grazing-incidence rtg difrakce ukázaly přítomnost zvlněného povrchu (Ga,Mn)As vrstev rostlých na GaAs (001) s periodou asi 50 nm orientovaných ve směru [1 -1 0].
Návaznosti
| GP202/09/P410, projekt VaV |
| ||
| MSM0021622410, záměr |
|