Surface morphology and magnetic anisotropy in (Ga,Mn)As

PIANO, S., X. MARTI, A. W. RUSHFORTH, K. W. EDMONDS, R. P. CAMPION, M. WANG, Ondřej CAHA, T. U. SHUELLI, Václav HOLÝ a B. L. GALLAGHER. Surface morphology and magnetic anisotropy in (Ga,Mn)As. Applied Physics Letters. USA: American Institute of Physics, 2011, roč. 98, č. 15, s. "nestránkováno", 3 s. ISSN 0003-6951. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1063/1.3579534.

Základní údaje

• Originální název: Surface morphology and magnetic anisotropy in (Ga,Mn)As
• Název česky: Morfologie povrchu a magnetická anizotropie v (Ga,Mn)As
• Autoři: PIANO, S. (826 Velká Británie a Severní Irsko), X. MARTI (724 Španělsko), A. W. RUSHFORTH (826 Velká Británie a Severní Irsko), K. W. EDMONDS (826 Velká Británie a Severní Irsko), R. P. CAMPION (826 Velká Británie a Severní Irsko), M. WANG (826 Velká Británie a Severní Irsko), Ondřej CAHA (203 Česká republika), T. U. SHUELLI (276 Německo), Václav HOLÝ (203 Česká republika, garant, domácí) a B. L. GALLAGHER (826 Velká Británie a Severní Irsko).
• Vydání: Applied Physics Letters, USA, American Institute of Physics, 2011, 0003-6951.

Další údaje

• Originální jazyk: angličtina
• Typ výsledku: Článek v odborném periodiku
• Obor: 10302 Condensed matter physics
• Stát vydavatele: Spojené státy
• Utajení: není předmětem státního či obchodního tajemství
• Impakt faktor: Impact factor: 3.844
• Kód RIV: RIV/00216224:14310/11:00057230
• Organizační jednotka: Přírodovědecká fakulta
• Doi: http://dx.doi.org/10.1063/1.3579534
• UT WoS: 000289580800039
• Klíčová slova česky: Mikroskopie atomové síly; feromagnetocké materiály; GaAs; III-V polovodiče
• Klíčová slova anglicky: atomic force microscopy; ferromagnetic materials; gallium arsenide; III-V semiconductors
• Štítky: AKR, rivok
• Příznaky: Mezinárodní význam, Recenzováno

Anotace

Atomic force microscopy and grazing incidence x-ray diffraction measurements have revealed the presence of ripples, aligned along the [1 -1 0] direction on the surface of (Ga,Mn)As layers grown on GaAs(001) substrates and buffer layers, with periodicity of about 50 nm in all samples that have been studied. These samples show the strong symmetry breaking uniaxial magnetic anisotropy normally observed in such materials. We observe a clear correlation between the amplitude of the surface ripples and the strength of the uniaxial magnetic anisotropy component suggesting that these ripples might be the source of such anisotropy.

Anotace česky

Mikroskopie atomové síly a grazing-incidence rtg difrakce ukázaly přítomnost zvlněného povrchu (Ga,Mn)As vrstev rostlých na GaAs (001) s periodou asi 50 nm orientovaných ve směru [1 -1 0].

Návaznosti

• GP202/09/P410, projekt VaV: Název: Řízení elastického napětí v magnetických polovodičích

Investor: Grantová agentura ČR, Řízení elastického napětí v magnetických polovodičích

• MSM0021622410, záměr: Název: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur