2011
Effect of crystallographic structure on electrical and mechanical characteristics of Sm2O3-Doped CeO2 films
HARTMANOVÁ, Maria, Vladislav NAVRÁTIL, Vilma BURŠÍKOVÁ, František KUNDRACIK, C. MANSILLA et. al.Základní údaje
Originální název
Effect of crystallographic structure on electrical and mechanical characteristics of Sm2O3-Doped CeO2 films
Název česky
Efekt krystalografické struktury na elektrické a mechanické vlastnosti vrstev Sm2O3 dopovaných CeO2
Autoři
HARTMANOVÁ, Maria (703 Slovensko), Vladislav NAVRÁTIL (203 Česká republika, domácí), Vilma BURŠÍKOVÁ (203 Česká republika, garant, domácí), František KUNDRACIK (703 Slovensko) a C. MANSILLA (724 Španělsko)
Vydání
Russian Journal of Electrochemistry, Pleiades Publishing, Ltd. 2011, 1023-1935
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele
Česká republika
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 0.534
Kód RIV
RIV/00216224:14310/11:00049535
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000292270900001
Klíčová slova česky
CeO2 ; Sm2O3 ; vypařován eleotronovými svazky; iontovým svazkem asistovaná depozice; impedanční spektroskopie; indentační technika; elektrická vodivost; dielektrická permitivita; mikrotvrdos
Klíčová slova anglicky
CeO2 ; Sm2O3 ; e-beam evaporation ; ionic beam assisted deposition ; impedance spectroscopy ; indentation technique ; electrical conductivity ; dielectric permittivity ; microhardness ;
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 19. 1. 2012 10:16, doc. RNDr. Vilma Buršíková, Ph.D.
V originále
Electrical conductivity, dielectric permittivity and mechanical hardness of the polycrystalline CeO2 + xSm2O3 (x = 0, 10.9-15.9 mol %) films prepared by Electron Beam Physical Vapour Deposition (EB-PVD) and Ionic Beam Assisted Deposition, (IBAD), techniques were investigated in dependence on their structure and microstructure influenced by the deposition conditions, namely composition, deposition temperature and Ar+ ion bombardment. The electrical conductivity of doped ceria prepared without Ar+ ion bombardment and investigated by the impedance spectroscopy, IS, was found to be predominantly ionic one under the oxidizing atmosphere/low-temperature conditions and the higher amounts of Sm2O3 (>10 mol %) used. The bulk conductivity as a part of total measured conductivity was a subject of interest because the grain boundary conductivity was found to be 3 orders of magnitude lower than the corresponding bulk conductivity. Ar+ ion bombardment acted as a reducer (Ce4+ -> Ce3+) resulting in the development of electronic conductivity. Dielectric permittivity determined from the bulk parallel capacitance measured at room temperature and the frequency of 1 MHz, similarly as the mechanical hardness measured by indentation (classical Vickers and Depth Sensing Indentation-DSI) techniques were also found to be dependent on the deposition conditions. The approximative value of hardness for the investigated films deposited on the substrate was estimated using a simple phenomenological model described by the power function HV = HV0 + aPb and compared with the so-called apparent hardness (substrate + investigated film) determined by the classical Vickers formula. Results obtained are analyzed and discussed.
Česky
Byla studována elektrická vodivost, dielektrická permitivita a mechanická tvrdost polykrystalických CeO2 + xSm2O3 vrstev tvořených depozicí z plynné fáze elektornovým svazkem (EB-PVD) a depozicí asistovanou iontovým svazkem (IBAD)
Návaznosti
| KAN311610701, projekt VaV |
| ||
| MSM0021622411, záměr |
|