J 2009

Hydrogenation of platinum introduced in silicon by radiation enhanced diffusion

HAZDRA, Pavel, Volodymyr KOMARNITSKYY a Vilma BURŠÍKOVÁ

Základní údaje

Originální název

Hydrogenation of platinum introduced in silicon by radiation enhanced diffusion

Autoři

HAZDRA, Pavel (203 Česká republika, garant), Volodymyr KOMARNITSKYY (804 Ukrajina) a Vilma BURŠÍKOVÁ (203 Česká republika, domácí)

Vydání

Materials Science and Engineering, Lausanne, ELSEVIER SCIENCE SA, 2009, 0921-5107

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

20201 Electrical and electronic engineering

Stát vydavatele

Nizozemské království

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Impakt faktor

Impact factor: 1.715

Kód RIV

RIV/00216224:14310/09:00056770

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

DOI

UT WoS

000267635500081

Klíčová slova česky

difúze; hydrogenace; platina ; křemík

Klíčová slova anglicky

diffusion; hydrogenation; platinum; silicon

Štítky

Změněno: 20. 4. 2012 12:18, Ing. Andrea Mikešková

Anotace

ORIG CZ

V originále

The paper deals with hydrogenation of platinum atoms introduced in silicon by radiation enhanced diffusion. The interaction of defects and arising deep levels are investigated by means of deep level transient spectroscopy.

Česky

Článek je zaměřen na hydrogenaci atomů platina v křemíku pomocí radiačně podporované difúze. Defekty jsou studovány zejména pomocí deep level transient spectroscopy.

Návaznosti

MSM0021622411, záměr
Název: Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Studium a aplikace plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek