Současný pokrok v oblasti polovodičových pamětí, tj. udržení Moorova zákona spolu s redukcí energetické náročnosti, je výsledkem snižování velikosti logických obvodů. Jejich velikost je již u spodní kvantově-mechanicky přípustné limity jejíž dosažení za současné rychlosti vývoje aktuální technologie se očekává v letech 2020-2025. Z tohoto důvodu trh s počítačovými pamětmi hledá alternativní technologii uložení dat. Vhodným konceptem se ukazují být tzv. QD-Flash paměti, které skloubí výhody DRAM a Flash pamětí, tedy rychlý operační čas s dlouhou dobou uchování energie bez připojení energie.

K přivedení QD-Flash pamětí do praxe zbývá dořešit vhodnou kombinaci III-V materiálů k přípravě p-i-n diod s kvantovou tečkou v aktivní oblasti s dobou uchování informace srovnatelnou s Flash pamětmi, tedy delší než 10 let. Dosavadní výzkum za posledních 10 let zvýšil dobu uložení z jednotek milisekund na úroveň hodin [1].

Jako jedna z vhodných heterostruktur pro zvýšení tzv. storage time byla předpovězena kombinace GaAs a GaSb v GaP matrixi [2] jejíž emise a související optické vlastnosti pomocí fotoluminiscenční spektroskopie budou zkoumány v rámci této bakalářské práce.

Pro účely nízkoteplotních experimentů student navrhne a vybuduje optickou cestu k heliovému kryostatu, zvládne měření na různých spektrometrech a naučí se zařízení správně nastavit pro účely daného měření. Získané výsledky vhodně vyhodnotí a za pomoci dostupné literatury porozumí studovaným fyzikálním jevům. Práce bude napsána v českém nebo anglickém jazyce.

[1] E.M. Sala, et al, Physica Status Solidi B, 1800182 (2018)

[2] T. Nowozin, et al, Journal of Nanomaterials, 215613 (2013)

[3] E.M. Sala, PhD thesis, Dissertation Technical University of Berlin (2018)

[4] J.A. Prieto, et al, Applied Physics Letters 70 (1997)