Integrace Ge epitaxních vrstev na Si substrátech je komplikovaná vzhledem k rozdílnému mřížovému parametru Ge a Si při zachování bezdefektního růstu. Zvládnutí těchto obtíží ovšem slibuje tolik přínosnou integraci Ge a hlavně GaAs technologie na Si deskách. V nedávné době byla švýcarko-italskou skupinou uveřejněna technologie růstu Ge krystalů na Si substrátu, kterou je možné dosáhnout extrémně tlustých Ge vrstev na Si prakticky bez dislokací u povrchu. Takovéto souvislé bezdefektní vrstvy mohou sloužit například pro výrobu rtg obrazových detektorů apod. Cílem práce budou rtg měření map reciprokého prostoru na uspořádaných systémech Ge krystalů na Si substrátech a určování strukturních vlastností jejich krystalové mříže, deformace a relaxace. Předpokladem práce na projektu jsou základní znalosti fyziky pevných látek a optiky. Doporučená literatura: C. V. Falub et al., Science 335, 1330 (2012)