Precipitation in silicon wafers after high temperature preanneal studied by X-ray diffraction methods

MEDUŇA, Mojmír; Jiří RŮŽIČKA; Ondřej CAHA; Jiří BURŠÍK a Milan SVOBODA. Precipitation in silicon wafers after high temperature preanneal studied by X-ray diffraction methods. Physica B condensed matter. Amsterdam: Elsevier Science, 2012, roč. 407, č. 15, s. 3002-3005. ISSN 0921-4526. Dostupné z: https://doi.org/10.1016/j.physb.2011.08.063.

Základní údaje

Originální název

Precipitation in silicon wafers after high temperature preanneal studied by X-ray diffraction methods

Název česky

Precipitace v křemíkových deskách po vysokoteplotním předžíhání studovaná pomocí metod rtg difrakce

Autoři

MEDUŇA, Mojmír; Jiří RŮŽIČKA; Ondřej CAHA; Jiří BURŠÍK a Milan SVOBODA

Vydání

Physica B condensed matter, Amsterdam, Elsevier Science, 2012, 0921-4526

---

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Nizozemské království

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

pdf

Impakt faktor

Impact factor: 1.327

Kód RIV

RIV/00216224:14740/12:00065985

Organizační jednotka

Středoevropský technologický institut

DOI

https://doi.org/10.1016/j.physb.2011.08.063

UT WoS

000305790800047

Klíčová slova česky

křemík; intersticiální kyslík; precipitace

Klíčová slova anglicky

silicon; interstitial oxygen; precipitation

Štítky

AKR, nk, rivok

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno

---

Anotace

V originále

We have investigated oxygen precipitation in Czochralski silicon wafers focusing on influence of nucleation temperature and high temperature pre-anneal during common three step treatment. Thick Si wafers were studied mainly by x-ray diffraction in Laue transmission geometry using Mo x-ray tube, but were also compared to reciprocal space maps obtained in Bragg reflection geometry. The analysis of measured diffraction scans in Laue geometry was performed by means of Takagi equations and statistical dynamical theory of diffraction. From the simulated Laue diffraction cuvers we find the size of the individual defect area and the fraction of strain area volume in the wafer. The results obtained from x-ray diffraction were compared to loss of interstitial oxygen according to infrared absorption spectroscopy and the size of SiO2 precipitate core was estimated. These techniques are in agreement with transmission electron microscopy images.

Česky

Studovali jsme precipitaci kyslíku v Czochralski křemíkových deskách a při tom jsme se zaměřili na vliv nukleační teploty a vysokoteplotního předžíhání během standartního třístupňového procesu.

---

Návaznosti

CZ.1.07/2.4.00/17.0006, interní kód MU	Název: Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery, 2.4 Partnerství a sítě
ED1.1.00/02.0068, projekt VaV	Název: CEITEC - central european institute of technology
GA202/09/1013, projekt VaV	Název: Nukleace a růst kyslíkových precipitátů v křemíku Investor: Grantová agentura ČR, Nukleace a růst kyslíkových precipiátů v křemíku
GP202/09/P410, projekt VaV	Název: Řízení elastického napětí v magnetických polovodičích Investor: Grantová agentura ČR, Řízení elastického napětí v magnetických polovodičích
MSM0021622410, záměr	Název: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur