J 2012

Studies of influence of high temperature preannealing on oxygen precipitation in CZ Si wafers

MEDUŇA, Mojmír; Ondřej CAHA a Jiří BURŠÍK

Základní údaje

Originální název

Studies of influence of high temperature preannealing on oxygen precipitation in CZ Si wafers

Název česky

Studie vlivu vysokoteplotního předžíhání na precipitaci kyslíku v CZ Si deskách

Autoři

MEDUŇA, Mojmír (203 Česká republika, garant, domácí); Ondřej CAHA (203 Česká republika, domácí) a Jiří BURŠÍK (203 Česká republika)

Vydání

Journal of crystal growth, Amsterdam, Elsevier Science, 2012, 0022-0248

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Nizozemské království

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Impakt faktor

Impact factor: 1.552

Kód RIV

RIV/00216224:14740/12:00065986

Organizační jednotka

Středoevropský technologický institut

DOI

UT WoS

000303937900010

Klíčová slova česky

nečistoty; bodové defekty; precipitáty

Klíčová slova anglicky

impurities; point defects; precipitates

Štítky

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 8. 4. 2014 10:19, Mgr. Nikola Kostlánová, Ph.D.

Anotace

ORIG CZ

V originále

We have investigated Czochralski grown low boron doped silicon wafers after oxygen precipitation using high temperature preannealing. Wafers originating from the part of the silicon ingot close to head and close to tail were used for the experiments representing different temperature history of the wafers. The loss of interstitial oxygen, precipitate morphology and stoichiometry at various stages of precipitation were determined by infrared absorption spectroscopy at liquid nitrogen and at room temperature. The impact of a high temperature preannealing at various temperatures on the parameters of precipitates including also their concentration determined from chemical etching was observed during the growth of oxygen precipitates. The obtained results were compared with transmission electron microscopy.

Česky

Studovali jsme Czochralski tažené křemíkové desky slabě dopovaný bórem po precipitaci kyslíku s použitím vysokoteplotního předžíhání.

Návaznosti

ED1.1.00/02.0068, projekt VaV
Název: CEITEC - central european institute of technology
GA202/09/1013, projekt VaV
Název: Nukleace a růst kyslíkových precipitátů v křemíku
Investor: Grantová agentura ČR, Nukleace a růst kyslíkových precipiátů v křemíku
MSM0021622410, záměr
Název: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur