Three Dimensional Heteroepitaxy: A New Path For Monolithically
Integrating Mismatched Materials With Silicon

D 2012

Three Dimensional Heteroepitaxy: A New Path For Monolithically Integrating Mismatched Materials With Silicon

FALUB, Claudiu Valentin; Thomas KREILIGER; A. TABOADA; Fabio ISA; Daniel CHRASTINA et. al.

Základní údaje

Originální název

Three Dimensional Heteroepitaxy: A New Path For Monolithically Integrating Mismatched Materials With Silicon

Název česky

Tří rozměrná epitaxe: Nová cesta pro různé materiály integrované monoliticky ma křemíku

Autoři

Vydání

New York, 2012 International Semiconductor Conference (CAS) Vols 1 and 2, od s. 45-50, 6 s. 2012

Nakladatel

IEEE

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Stať ve sborníku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Spojené státy

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Forma vydání

tištěná verze "print"

Odkazy

URL

Kód RIV

RIV/00216224:14740/12:00067863

Organizační jednotka

Středoevropský technologický institut

ISBN

978-1-4673-0736-9

ISSN

DOI

https://doi.org/10.1109/SMICND.2012.6400698

UT WoS

000314223700006

Klíčová slova česky

monolitická integraceů vysoká kvalita Ge; eliminace pracklin; hustota threading dislokací; epitaxní růst; vzorkované Si substráty; elektrické vlastnosti

Klíčová slova anglicky

monolithic integration; high quality Ge; elimination of cracking; threading-dislocation densities; epitaxial necking; patterned Si substrates; electrical properties

Štítky

AKR, nk, rivok

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno

Změněno: 8. 4. 2014 08:03, Mgr. Nikola Kostlánová, Ph.D.

Anotace

ORIG CZ

V originále

In the quest for a Ge x-ray detector monolithically integrated onto a Si-CMOS chip we developed a novel method for combining dissimilar materials that may provide a solution to the main problems of heteroepitaxy, e.g. high threading dislocation densities, wafer bowing and cracks.

Česky

S ohledem na poptávku po Ge rtg detektorech monoliticky integrovaných na na Si-CMOS technologii jsme vyvinuli novou metodu pro kombinaci různých materiálů, které mohou poskytnout řešení hlavních problémů heteroepitaxe, tj. vysoké hustoty threading dislokací, ohýbání desek a praskání.

Návaznosti

CZ.1.07/2.4.00/17.0006, interní kód MU

Název: Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery, 2.4 Partnerství a sítě

ED1.1.00/02.0068, projekt VaV

Název: CEITEC - central european institute of technology

EE2.3.20.0027, projekt VaV

Název: Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano a mikrotechnologií

MSM0021622410, záměr

Název: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur

Citovat

FALUB, Claudiu Valentin; Thomas KREILIGER; A. TABOADA; Fabio ISA; Daniel CHRASTINA; G. ISELLA; E. MULLER; Mojmír MEDUŇA; R. BERGAMASCHINI; Anna MARZEGALLI; E. BONERA; F. PEZZOLI; Leo MIGLIO; P. NIEDERMANN; A. NEELS; A. PEZOUS; R. KAUFMANN; A. DOMMANN a Hans VON KAENEL. Three Dimensional Heteroepitaxy: A New Path For Monolithically Integrating Mismatched Materials With Silicon. In 2012 International Semiconductor Conference (CAS) Vols 1 and 2. New York: IEEE, 2012, s. 45-50. ISBN 978-1-4673-0736-9. Dostupné z: https://doi.org/10.1109/SMICND.2012.6400698.

@inproceedings{1090473,
   author = {Falub, Claudiu Valentin and Kreiliger, Thomas and Taboada, A. and Isa, Fabio and Chrastina, Daniel and Isella, G. and Muller, E. and Meduňa, Mojmír and Bergamaschini, R. and Marzegalli, Anna and Bonera, E. and Pezzoli, F. and Miglio, Leo and Niedermann, P. and Neels, A. and Pezous, A. and Kaufmann, R. and Dommann, A. and von Kaenel, Hans},
   address = {New York},
   booktitle = {2012 International Semiconductor Conference (CAS) Vols 1 and 2},
   doi = {https://doi.org/10.1109/SMICND.2012.6400698},
   keywords = {monolithic integration; high quality Ge; elimination of cracking; threading-dislocation densities; epitaxial necking; patterned Si substrates; electrical properties},
   howpublished = {tištěná verze "print"},
   language = {eng},
   location = {New York},
   isbn = {978-1-4673-0736-9},
   pages = {45-50},
   publisher = {IEEE},
   title = {Three Dimensional Heteroepitaxy: A New Path For Monolithically Integrating Mismatched Materials With Silicon},
   url = {http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6400698},
   year = {2012}
}

TY  - CONF
ID  - 1090473
AU  - Falub, Claudiu Valentin - Kreiliger, Thomas - Taboada, A. - Isa, Fabio - Chrastina, Daniel - Isella, G. - Muller, E. - Meduňa, Mojmír - Bergamaschini, R. - Marzegalli, Anna - Bonera, E. - Pezzoli, F. - Miglio, Leo - Niedermann, P. - Neels, A. - Pezous, A. - Kaufmann, R. - Dommann, A. - von Kaenel, Hans
PY  - 2012
TI  - Three Dimensional Heteroepitaxy: A New Path For Monolithically Integrating Mismatched Materials With Silicon
PB  - IEEE
CY  - New York
SN  - 9781467307369
KW  - monolithic integration
KW  - high quality Ge
KW  - elimination of cracking
KW  - threading-dislocation densities
KW  - epitaxial necking
KW  - patterned Si substrates
KW  - electrical properties
UR  - http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6400698
L2  - http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6400698
N2  - In the quest for a Ge x-ray detector monolithically integrated onto a Si-CMOS chip we developed a novel method for combining dissimilar materials that may provide a solution to the main problems of heteroepitaxy, e.g. high threading dislocation densities, wafer bowing and cracks.
ER  -

FALUB, Claudiu Valentin; Thomas KREILIGER; A. TABOADA; Fabio ISA; Daniel CHRASTINA; G. ISELLA; E. MULLER; Mojmír MEDUŇA; R. BERGAMASCHINI; Anna MARZEGALLI; E. BONERA; F. PEZZOLI; Leo MIGLIO; P. NIEDERMANN; A. NEELS; A. PEZOUS; R. KAUFMANN; A. DOMMANN a Hans VON KAENEL. Three Dimensional Heteroepitaxy: A New Path For Monolithically Integrating Mismatched Materials With Silicon. In \textit{2012 International Semiconductor Conference (CAS) Vols 1 and 2}. New York: IEEE, 2012, s.~45-50. ISBN~978-1-4673-0736-9. Dostupné z: https://doi.org/10.1109/SMICND.2012.6400698.

Přehled o publikaci