J 2013

Measurement of hydroxyl radical (OH) concentration in argon RF plasma jet by laser-induced fluorescence

VORÁČ, Jan; Pavel DVOŘÁK; Vojtěch PROCHÁZKA; Joerg EHLBECK; Stephan REUTER et al.

Základní údaje

Originální název

Measurement of hydroxyl radical (OH) concentration in argon RF plasma jet by laser-induced fluorescence

Autoři

VORÁČ, Jan; Pavel DVOŘÁK; Vojtěch PROCHÁZKA; Joerg EHLBECK a Stephan REUTER

Vydání

PLASMA SOURCES SCIENCE & TECHNOLOGY, BRISTOL, IOP PUBLISHING LTD, 2013, 0963-0252

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10305 Fluids and plasma physics

Stát vydavatele

Velká Británie a Severní Irsko

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

Impakt faktor

Impact factor: 3.056

Označené pro přenos do RIV

Ano

Kód RIV

RIV/00216224:14310/13:00067996

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

000317275400018

Klíčová slova anglicky

LIF; laser induced fluorescence; hydroxyl radical; OH; concentration; atmospheric pressure; RF plasma jet

Štítky

Změněno: 13. 3. 2018 10:46, Mgr. Jan Voráč, Ph.D.

Anotace

V originále

The concentration of hydroxyl (OH) radicals in a plasma pencil, an atmospheric RF plasma jet ignited in argon, was measured by laser-induced fluorescence calibrated by Rayleigh scattering on ambient air. A suitable excitation scheme for this discharge was suggested based on laser excitation to the lowest vibrational level of the A 2Sigma+ state. Effects of spectral overlap between the laser and absorption line, fluorescence saturation, temporal evolution of fluorescence radiation, rotational energy transfer and rotational distribution on the diagnostic method were analysed. The maximum OH concentration was approximately 5E+20 m-3. The maximum was reached when the measurement point localized in the effluent of the plasma pencil was inside but close to the tip of the visible active discharge.

Návaznosti

CZ.1.05/2.1.00/03.0086, interní kód MU
Název: CEPLANT - Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, CEPLANT - Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy, 2.1 Regionální VaV centra
ED2.1.00/03.0086, projekt VaV
Název: Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy