2012
Activation of silicon surface in atmospheric oxygen plasma
SKÁCELOVÁ, Dana; Pavel SŤAHEL a Mirko ČERNÁKZákladní údaje
Originální název
Activation of silicon surface in atmospheric oxygen plasma
Autoři
Vydání
CHEMICKÉ LISTY, Praha, Česká společnost chemická, 2012, 0009-2770
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele
Česká republika
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 0.453
Označené pro přenos do RIV
Ano
Kód RIV
RIV/00216224:14310/12:00064633
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
Klíčová slova anglicky
DCSBD; Si wafer; activation; oxygen plasma
Změněno: 3. 4. 2013 10:04, Mgr. Dana Skácelová, Ph.D.
Anotace
V originále
In this contribution, the surface modification of crystalline silicon surface in oxygen atmosphere was investigated. Moreover the effect of crystallographic orientation and surface pre-cleaning of silicon surface were studied. c-Si wafers (100) and (111) oriented were cleaned in isopropyl alcohol or etched in HF solution and afterwards treated in Diffuse Coplanar Surface Barrier Discharge. Wettability, changes of surface properties and ageing effect of plasma treated surface were studied by means of contact angle measurement. It was proved, that modification of c-Si surface in oxygen plasma improve the wettability independent on crystallographic orientation and initial cleaning process.
Návaznosti
| ED2.1.00/03.0086, projekt VaV |
|