2012
Space-filling arrays of three-dimensional epitaxial Ge and Si1-xGex crystals
FALUB, C.V.; F. ISA; T. KREILIGER; R. BERGAMASCHINI; A. MARZEGALLI et. al.Základní údaje
Originální název
Space-filling arrays of three-dimensional epitaxial Ge and Si1-xGex crystals
Název česky
Prostor vypňující pole třídimenzionálních epitaxních Ge a Si1-xGex krystalů
Autoři
FALUB, C.V.; F. ISA; T. KREILIGER; R. BERGAMASCHINI; A. MARZEGALLI; A.G. TABOADA; D. CHRASTINA; G. ISELLA; E. MÜLLER; P. NIEDERMANN; A. DOMMANN; A. NEELS; A. PEZOUS; Mojmír MEDUŇA; L. MIGLIO a Hans VON KÄNEL
Vydání
Berkeley, CA, 2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, ISTDM 2012 - Proceedings, od s. 60-61, 2 s. 2012
Nakladatel
EEE eXpress Conference Publishing
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Stať ve sborníku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Spojené státy
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Forma vydání
tištěná verze "print"
Kód RIV
RIV/00216224:14740/12:00068032
Organizační jednotka
Středoevropský technologický institut
ISBN
978-1-4577-1862-5
Klíčová slova česky
křemík; heteroepitaxe; rtg difrakce
Klíčová slova anglicky
silicon; heteroepitaxy; x-ray diffraction
Příznaky
Mezinárodní význam
Změněno: 30. 4. 2014 04:22, Olga Křížová
V originále
The crystalline quality, tilt and strain of the Ge and Si1-xGex crystals were investigated by high resolution X-ray diffraction.
Česky
Krystalová kvalita, sklon a deformace Ge a Si1-xGex krystalů byla studována pomocí rtg difrakce s vysokým rozlišením.
Návaznosti
| ED1.1.00/02.0068, projekt VaV |
| ||
| MSM0021622410, záměr |
|