D 2012

Space-filling arrays of three-dimensional epitaxial Ge and Si1-xGex crystals

FALUB, C.V.; F. ISA; T. KREILIGER; R. BERGAMASCHINI; A. MARZEGALLI et. al.

Základní údaje

Originální název

Space-filling arrays of three-dimensional epitaxial Ge and Si1-xGex crystals

Název česky

Prostor vypňující pole třídimenzionálních epitaxních Ge a Si1-xGex krystalů

Autoři

FALUB, C.V.; F. ISA; T. KREILIGER; R. BERGAMASCHINI; A. MARZEGALLI; A.G. TABOADA; D. CHRASTINA; G. ISELLA; E. MÜLLER; P. NIEDERMANN; A. DOMMANN; A. NEELS; A. PEZOUS; Mojmír MEDUŇA; L. MIGLIO a Hans VON KÄNEL

Vydání

Berkeley, CA, 2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, ISTDM 2012 - Proceedings, od s. 60-61, 2 s. 2012

Nakladatel

EEE eXpress Conference Publishing

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Stať ve sborníku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Spojené státy

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Forma vydání

tištěná verze "print"

Kód RIV

RIV/00216224:14740/12:00068032

Organizační jednotka

Středoevropský technologický institut

ISBN

978-1-4577-1862-5

Klíčová slova česky

křemík; heteroepitaxe; rtg difrakce

Klíčová slova anglicky

silicon; heteroepitaxy; x-ray diffraction

Štítky

Příznaky

Mezinárodní význam
Změněno: 30. 4. 2014 04:22, Olga Křížová

Anotace

V originále

The crystalline quality, tilt and strain of the Ge and Si1-xGex crystals were investigated by high resolution X-ray diffraction.

Česky

Krystalová kvalita, sklon a deformace Ge a Si1-xGex krystalů byla studována pomocí rtg difrakce s vysokým rozlišením.

Návaznosti

ED1.1.00/02.0068, projekt VaV
Název: CEITEC - central european institute of technology
MSM0021622410, záměr
Název: Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur