D 2012

Oxidation of Silicon Surface by DCSBD

SKÁCELOVÁ, Dana; Martin HANIČINEC; Pavel SŤAHEL a Mirko ČERNÁK

Základní údaje

Originální název

Oxidation of Silicon Surface by DCSBD

Autoři

Vydání

Ostrava, NANOCON 2012, 4th INTERNATIONAL CONFERENCE, od s. 778-781, 4 s. 2012

Nakladatel

TANGER Ltd.

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Stať ve sborníku

Obor

10305 Fluids and plasma physics

Stát vydavatele

Česká republika

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Forma vydání

elektronická verze "online"

Odkazy

Označené pro přenos do RIV

Ano

Kód RIV

RIV/00216224:14310/12:00064653

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

ISBN

978-80-87294-32-1

UT WoS

Klíčová slova anglicky

Coplanar DBD; silicon dioxide; oxidation; atmospheric pressure plasma

Štítky

Změněno: 5. 4. 2013 14:35, Ing. Andrea Mikešková

Anotace

V originále

In the present work plasma oxidation of crystalline silicon (c-Si) surface in diffuse coplanar surface barrier discharge (DCSBD) generated at atmospheric pressure has been studied. Silicon surface has been oxidized in oxygen and argon plasma. The surface properties have been studied by means scanning electron microscopy (SEM) and energy dispersive X-ray (EDX) analyses. It was found that thin layer of amorphous silicon dioxide during the short treatment time was formed. Oxidation by DCSBD could represent new alternative of a low cost and fast oxidation process.

Návaznosti

ED2.1.00/03.0086, projekt VaV
Název: Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy