X-ray radiation damage of organic semiconductor thin films
during grazing incidence diffraction experiments

Přeskočit na horní lištu Přeskočit na hlavičku Přeskočit na obsah Přeskočit na patičku

Publikace Přehled o publikaci

Přehled o publikaci

J 2012

X-ray radiation damage of organic semiconductor thin films during grazing incidence diffraction experiments

NEUHOLD, A; Jiří NOVÁK; H G FLESCH; Armin MOSER; T DJURIC et al.

Základní údaje

Originální název

X-ray radiation damage of organic semiconductor thin films during grazing incidence diffraction experiments

Autoři

NEUHOLD, A; Jiří NOVÁK; H G FLESCH; Armin MOSER; T DJURIC; L GRODD; S GRIGORIAN; U PIETSCH a R RESEL

Vydání

AMSTERDAM, ELSEVIER SCIENCE BV, 2012

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Označené pro přenos do RIV

DOI

https://doi.org/10.1016/j.nimb.2011.07.105

UT WoS

000306875400015

Klíčová slova anglicky

Radiation damage; Organic semiconductor; Grazing incidence X-ray diffraction; Fluence

Změněno: 15. 12. 2013 09:35, Mgr. Jiří Novák, Ph.D.

NEUHOLD, A; Jiří NOVÁK; H G FLESCH; Armin MOSER; T DJURIC; L GRODD; S GRIGORIAN; U PIETSCH a R RESEL. X-ray radiation damage of organic semiconductor thin films during grazing incidence diffraction experiments. AMSTERDAM: ELSEVIER SCIENCE BV, 2012, roč. 284, s. 64-68. Dostupné z: https://doi.org/10.1016/j.nimb.2011.07.105.

@article{1123346,
   author = {Neuhold, A and Novák, Jiří and Flesch, H G and Moser, Armin and Djuric, T and Grodd, L and Grigorian, S and Pietsch, U and Resel, R},
   article_location = {AMSTERDAM},
   doi = {https://doi.org/10.1016/j.nimb.2011.07.105},
   keywords = {Radiation damage; Organic semiconductor; Grazing incidence X-ray diffraction; Fluence},
   language = {eng},
   title = {X-ray radiation damage of organic semiconductor thin films during grazing incidence diffraction experiments},
   volume = {284},
   year = {2012}
}

TY  - JOUR
ID  - 1123346
AU  - Neuhold, A - Novák, Jiří - Flesch, H G - Moser, Armin - Djuric, T - Grodd, L - Grigorian, S - Pietsch, U - Resel, R
PY  - 2012
TI  - X-ray radiation damage of organic semiconductor thin films during grazing incidence diffraction experiments
VL  - 284
SP  - 64-68
EP  - 64-68
PB  - ELSEVIER SCIENCE BV
KW  - Radiation damage
KW  - Organic semiconductor
KW  - Grazing incidence X-ray diffraction
KW  - Fluence
ER  -

NEUHOLD, A; Jiří NOVÁK; H G FLESCH; Armin MOSER; T DJURIC; L GRODD; S GRIGORIAN; U PIETSCH a R RESEL. X-ray radiation damage of organic semiconductor thin films during grazing incidence diffraction experiments. AMSTERDAM: ELSEVIER SCIENCE BV, 2012, roč.~284, s.~64-68. Dostupné z: https://doi.org/10.1016/j.nimb.2011.07.105.