J 2013

Plasma cleaning and activation of silicon surface in Dielectric Coplanar Surface Barrier Discharge

PAMREDDY, Annapurna, Dana SKÁCELOVÁ, Martin HANIČINEC, Pavel SŤAHEL, Monika STUPAVSKÁ et. al.

Základní údaje

Originální název

Plasma cleaning and activation of silicon surface in Dielectric Coplanar Surface Barrier Discharge

Název česky

Plazmové čištění a aktivace povrchu křemíku v Dielektrická koplanární Odvody bariérového

Autoři

PAMREDDY, Annapurna (356 Indie, domácí), Dana SKÁCELOVÁ (203 Česká republika, garant, domácí), Martin HANIČINEC (203 Česká republika, domácí), Pavel SŤAHEL (203 Česká republika, domácí), Monika STUPAVSKÁ (703 Slovensko, domácí), Mirko ČERNÁK (703 Slovensko, domácí) a Josef HAVEL (203 Česká republika, domácí)

Vydání

Surface & coatings technology, Elsevier Science, 2013, 0257-8972

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10406 Analytical chemistry

Stát vydavatele

Švýcarsko

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Impakt faktor

Impact factor: 2.199

Kód RIV

RIV/00216224:14310/13:00074780

Organizační jednotka

Přírodovědecká fakulta

UT WoS

000329884300046

Klíčová slova česky

DCSBD plazma, plazmy, povrchová úprava, křemíkové desky, LDI

Klíčová slova anglicky

DCSBD plasma; plasma treatment; surface treatment; silicon wafer; LDI

Štítky

Příznaky

Mezinárodní význam
Změněno: 27. 4. 2015 10:37, Ing. Andrea Mikešková

Anotace

V originále

Surface of crystalline silicon (c-Si) wafers was treated in dielectric barrier discharge and the cleaning effect, wettability and adhesion of gold nanoparticles were investigated. Treatment of c-Si was realised in air plasma at atmospheric pressure in Diffuse Coplanar Surface Barrier Discharge (DCSBD). Plasma cleaning and gold nanoparticles adhesion were investigated by means of Laser Desorption Ionisation Time Of Flight Mass Spectrometry (LDI TOF MS) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Wettability and surface morphology were studied by contact angle measurement and atomic force microscopy, respectively. By laser desorption in positive ion mode, Cn+ and Na+, K+, etc. ions were detected on the industrially cleaned surface of silicon wafers. After plasma treatment the substantial decrease of such ions was observed. Plasma treatment of the surface increased also its hydrophilicity and adsorption of gold nanoparticles on the Si surface significantly increased after 5 sec cleaning in plasma. Intensity of gold clusters Aun+ absorbed on the plasma treated Si surface was in order of magnitude higher than intensity of clusters absorbed on the untreated surface.

Návaznosti

EE2.3.30.0009, projekt VaV
Název: Zaměstnáním čerstvých absolventů doktorského studia k vědecké excelenci