2013
Plasma cleaning and activation of silicon surface in Dielectric Coplanar Surface Barrier Discharge
PAMREDDY, Annapurna, Dana SKÁCELOVÁ, Martin HANIČINEC, Pavel SŤAHEL, Monika STUPAVSKÁ et. al.Základní údaje
Originální název
Plasma cleaning and activation of silicon surface in Dielectric Coplanar Surface Barrier Discharge
Název česky
Plazmové čištění a aktivace povrchu křemíku v Dielektrická koplanární Odvody bariérového
Autoři
PAMREDDY, Annapurna (356 Indie, domácí), Dana SKÁCELOVÁ (203 Česká republika, garant, domácí), Martin HANIČINEC (203 Česká republika, domácí), Pavel SŤAHEL (203 Česká republika, domácí), Monika STUPAVSKÁ (703 Slovensko, domácí), Mirko ČERNÁK (703 Slovensko, domácí) a Josef HAVEL (203 Česká republika, domácí)
Vydání
Surface & coatings technology, Elsevier Science, 2013, 0257-8972
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10406 Analytical chemistry
Stát vydavatele
Švýcarsko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Impakt faktor
Impact factor: 2.199
Kód RIV
RIV/00216224:14310/13:00074780
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
UT WoS
000329884300046
Klíčová slova česky
DCSBD plazma, plazmy, povrchová úprava, křemíkové desky, LDI
Klíčová slova anglicky
DCSBD plasma; plasma treatment; surface treatment; silicon wafer; LDI
Příznaky
Mezinárodní význam
Změněno: 27. 4. 2015 10:37, Ing. Andrea Mikešková
Anotace
V originále
Surface of crystalline silicon (c-Si) wafers was treated in dielectric barrier discharge and the cleaning effect, wettability and adhesion of gold nanoparticles were investigated. Treatment of c-Si was realised in air plasma at atmospheric pressure in Diffuse Coplanar Surface Barrier Discharge (DCSBD). Plasma cleaning and gold nanoparticles adhesion were investigated by means of Laser Desorption Ionisation Time Of Flight Mass Spectrometry (LDI TOF MS) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Wettability and surface morphology were studied by contact angle measurement and atomic force microscopy, respectively. By laser desorption in positive ion mode, Cn+ and Na+, K+, etc. ions were detected on the industrially cleaned surface of silicon wafers. After plasma treatment the substantial decrease of such ions was observed. Plasma treatment of the surface increased also its hydrophilicity and adsorption of gold nanoparticles on the Si surface significantly increased after 5 sec cleaning in plasma. Intensity of gold clusters Aun+ absorbed on the plasma treated Si surface was in order of magnitude higher than intensity of clusters absorbed on the untreated surface.
Návaznosti
EE2.3.30.0009, projekt VaV |
|