FRANTA, Daniel, David NEČAS, Lenka ZAJÍČKOVÁ, Ivan OHLÍDAL, Jiří STUCHLÍK a Dagmar CHVOSTOVA. Application of sum rule to the dispersion model of hydrogenated amorphous silicon. Thin Solid Films. Lausanne: Elsevier Science, 2013, roč. 539, Jul, s. 233-244. ISSN 0040-6090. doi:10.1016/j.tsf.2013.04.012.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Application of sum rule to the dispersion model of hydrogenated amorphous silicon
Autoři FRANTA, Daniel (203 Česká republika, garant, domácí), David NEČAS (203 Česká republika, domácí), Lenka ZAJÍČKOVÁ (203 Česká republika, domácí), Ivan OHLÍDAL (203 Česká republika, domácí), Jiří STUCHLÍK (203 Česká republika) a Dagmar CHVOSTOVA (203 Česká republika).
Vydání Thin Solid Films, Lausanne, Elsevier Science, 2013, 0040-6090.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele Švýcarsko
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
WWW URL
Impakt faktor Impact factor: 1.867
Kód RIV RIV/00216224:14740/13:00071631
Organizační jednotka Středoevropský technologický institut
Doi http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.04.012
UT WoS 000321111100039
Klíčová slova anglicky Optical constants; Ellipsometry; Spectrophotometry; a-Si:H; Urbach tail; Localized states; Sum rule
Štítky podil, rivok
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnila: Olga Křížová, učo 56639. Změněno: 14. 7. 2015 10:04.
Anotace
Optical data obtained for a-Si:H films by ellipsometry and spectrophotometry in the wide photon energy range 0.046–8.9 eV are fitted using the analytical dispersion models based on the application of the sum rule. The models include all absorption processes ranging from phonon absorption in IR region to core electron excitations in X-ray region. They take into account the existence of extended and localized states of valence electrons and distinguish transitions to conduction band and higher energy electron states. It is demonstrated that a combination of optical measurements over the wide range, combined with reasonable assumptions about the optical response in regions where no experimental data are available can lead to dispersion models enabling to determine the mass density of the film. Comparing the density of states determined by tight-binding method with that obtained from optical data, it is shown that an excitonic effect is significant in a-Si:H and causes a redistribution of transition probability from higher energies to the broad peak centered at 3.5 eV. Moreover, it is suggested how to apply the sum rule in the commercial ellipsometric software implementing the Tauc–Lorentz model.
Návaznosti
ED1.1.00/02.0068, projekt VaVNázev: CEITEC - central european institute of technology
ED2.1.00/03.0086, projekt VaVNázev: Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy
VytisknoutZobrazeno: 29. 11. 2021 06:19