Advanced modeling for optical characterization of amorphous
hydrogenated silicon films

J 2013

Advanced modeling for optical characterization of amorphous hydrogenated silicon films

FRANTA, Daniel, David NEČAS, Lenka ZAJÍČKOVÁ, Ivan OHLÍDAL, Jiří STUCHLÍK et. al.

Základní údaje

Originální název

Advanced modeling for optical characterization of amorphous hydrogenated silicon films

Autoři

FRANTA, Daniel (203 Česká republika, garant, domácí), David NEČAS (203 Česká republika, domácí), Lenka ZAJÍČKOVÁ (203 Česká republika, domácí), Ivan OHLÍDAL (203 Česká republika, domácí) a Jiří STUCHLÍK (203 Česká republika)

Vydání

Thin Solid Films, Lausanne, Elsevier Science, 2013, 0040-6090

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Švýcarsko

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

URL

Impakt faktor

Impact factor: 1.867

Kód RIV

RIV/00216224:14740/13:00071634

Organizační jednotka

Středoevropský technologický institut

DOI

http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.04.129

UT WoS

000323140600004

Klíčová slova anglicky

Ellipsometry; Spectrophotometry; a-Si:H; Urbach tail; Localized states; Sum rule

Štítky

podil, rivok

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno

Změněno: 6. 4. 2014 08:25, Olga Křížová

Anotace

V originále

Amorphous hydrogenated silicon (a-Si:H) films deposited on glass and crystalline silicon substrates are analyzed using a multi-sample method combining ellipsometry and spectrophotometry in a spectral range of 0.046–8.9 eV, utilizing an analytical dispersion model based on parametrization of joint density of states and application of sum rule. This model includes all absorption processes from phonon absorption to core electron excitations. It is shown that if films deposited on both substrates are characterized together it is possible to study both phonon absorption and weak absorption processes below the band gap, i.e. the Urbach tail and absorption on localized states.

Návaznosti

ED1.1.00/02.0068, projekt VaV

Název: CEITEC - central european institute of technology

ED2.1.00/03.0086, projekt VaV

Název: Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy

Přiložené soubory

ZVV_2013_1161986.pdf

Požádat o autorskou verzi souboru

TSF541_12.pdf

Požádat o autorskou verzi souboru

Citovat

FRANTA, Daniel, David NEČAS, Lenka ZAJÍČKOVÁ, Ivan OHLÍDAL a Jiří STUCHLÍK. Advanced modeling for optical characterization of amorphous hydrogenated silicon films. Thin Solid Films. Lausanne: Elsevier Science, 2013, roč. 541, Aug, s. 12-16. ISSN 0040-6090. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.04.129.

@article{1161986,
   author = {Franta, Daniel and Nečas, David and Zajíčková, Lenka and Ohlídal, Ivan and Stuchlík, Jiří},
   article_location = {Lausanne},
   article_number = {Aug},
   doi = {http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.04.129},
   keywords = {Ellipsometry; Spectrophotometry; a-Si:H; Urbach tail; Localized states; Sum rule},
   language = {eng},
   issn = {0040-6090},
   journal = {Thin Solid Films},
   title = {Advanced modeling for optical characterization of amorphous hydrogenated silicon films},
   url = {http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.04.129},
   volume = {541},
   year = {2013}
}

TY  - JOUR
ID  - 1161986
AU  - Franta, Daniel - Nečas, David - Zajíčková, Lenka - Ohlídal, Ivan - Stuchlík, Jiří
PY  - 2013
TI  - Advanced modeling for optical characterization of amorphous hydrogenated silicon films
JF  - Thin Solid Films
VL  - 541
IS  - Aug
SP  - 12-16
EP  - 12-16
PB  - Elsevier Science
SN  - 00406090
KW  - Ellipsometry
KW  - Spectrophotometry
KW  - a-Si:H
KW  - Urbach tail
KW  - Localized states
KW  - Sum rule
UR  - http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.04.129
L2  - http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.04.129
N2  - Amorphous hydrogenated silicon (a-Si:H) films deposited on glass and crystalline silicon substrates are analyzed using a multi-sample method combining ellipsometry and spectrophotometry in a spectral range of 0.046–8.9 eV, utilizing an analytical dispersion model based on parametrization of joint density of states and application of sum rule. This model includes all absorption processes from phonon absorption to core electron excitations. It is shown that if films deposited on both substrates are characterized together it is possible to study both phonon absorption and weak absorption processes below the band gap, i.e. the Urbach tail and absorption on localized states.
ER  -

FRANTA, Daniel, David NEČAS, Lenka ZAJÍČKOVÁ, Ivan OHLÍDAL a Jiří STUCHLÍK. Advanced modeling for optical characterization of amorphous hydrogenated silicon films. \textit{Thin Solid Films}. Lausanne: Elsevier Science, 2013, roč.~541, Aug, s.~12-16. ISSN~0040-6090. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.04.129.

Podrobný výpis o publikaci