3D Heteroepitaxy of Mismatched Semiconductors on Silicon

J 2014

3D Heteroepitaxy of Mismatched Semiconductors on Silicon

FALUB, Claudiu Valentin; Thomas KREILIGER; Fabio ISA; Alfonso TABOADA; Mojmír MEDUŇA et. al.

Základní údaje

Originální název

3D Heteroepitaxy of Mismatched Semiconductors on Silicon

Název česky

3D heteroepitaxe nepřízpůsobených polovodičů na křemíku

Autoři

FALUB, Claudiu Valentin (642 Rumunsko); Thomas KREILIGER (756 Švýcarsko); Fabio ISA (380 Itálie); Alfonso TABOADA (724 Španělsko); Mojmír MEDUŇA (203 Česká republika, garant, domácí); Fabio PEZZOLI (380 Itálie); Roberto BERGAMASCHINI (380 Itálie); Anna MARZEGALLI (380 Itálie); Elisabeth MÜLLER (756 Švýcarsko); Daniel CHRASTINA (826 Velká Británie a Severní Irsko); Giovanni ISELLA (380 Itálie); Antonia NEELS (756 Švýcarsko); Philippe NIEDERMANN (756 Švýcarsko); Alex DOMMANN (756 Švýcarsko); Leo MIGLIO (380 Itálie) a Hans VON KÄNEL (756 Švýcarsko)

Vydání

Thin Solid Films, Lausanne (Switzerland), Elsevier, 2014, 0040-6090

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Nizozemské království

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

URL

Impakt faktor

Impact factor: 1.759

Kód RIV

RIV/00216224:14740/14:00075285

Organizační jednotka

Středoevropský technologický institut

DOI

http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.10.094

UT WoS

000333968300009

EID Scopus

2-s2.0-84897915576

Klíčová slova česky

monolitiocka integrace; epitaxní růst; Ge; GaAs; vzorkované Si substráty; skenovací rtg nanodifrakce; luminescence za pokojové teploty; rtg detektory

Klíčová slova anglicky

Monolithic integration; Epitaxial growth; Ge; GaAs; Patterned Si substrates; Scanning X-ray nano-diffraction; Room-temperature photoluminescence; X-ray detectors

Štítky

kontrola MP, rivok

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno

Změněno: 13. 3. 2018 10:44, Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.

Anotace

ORIG CZ

V originále

We present a method for monolithically integrating mismatched semiconductor materials with Si, coined three-dimensional (3D) heteroepitaxy. The method comprises the replacement of conventional, continuous epilayers by dense arrays of strain- and defect-free, micron-sized crystals.

Česky

Prezentujeme metodu pro monolitickou integraci nepřizpůsoobených polovodičových materiálů s Si, s šD epitaxí.

Návaznosti

CZ.1.07/2.4.00/17.0006, interní kód MU

Název: Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery, 2.4 Partnerství a sítě

ED1.1.00/02.0068, projekt VaV

Název: CEITEC - central european institute of technology

EE2.3.20.0027, projekt VaV

Název: Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano a mikrotechnologií

Citovat

FALUB, Claudiu Valentin; Thomas KREILIGER; Fabio ISA; Alfonso TABOADA; Mojmír MEDUŇA; Fabio PEZZOLI; Roberto BERGAMASCHINI; Anna MARZEGALLI; Elisabeth MÜLLER; Daniel CHRASTINA; Giovanni ISELLA; Antonia NEELS; Philippe NIEDERMANN; Alex DOMMANN; Leo MIGLIO a Hans VON KÄNEL. 3D Heteroepitaxy of Mismatched Semiconductors on Silicon. Thin Solid Films. Lausanne (Switzerland): Elsevier, 2014, roč. 557, 30 April 2014, s. 42-49. ISSN 0040-6090. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.10.094.

@article{1174235,
   author = {Falub, Claudiu Valentin and Kreiliger, Thomas and Isa, Fabio and Taboada, Alfonso and Meduňa, Mojmír and Pezzoli, Fabio and Bergamaschini, Roberto and Marzegalli, Anna and Müller, Elisabeth and Chrastina, Daniel and Isella, Giovanni and Neels, Antonia and Niedermann, Philippe and Dommann, Alex and Miglio, Leo and von Känel, Hans},
   article_location = {Lausanne (Switzerland)},
   article_number = {30 April 2014},
   doi = {http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.10.094},
   keywords = {Monolithic integration; Epitaxial growth; Ge; GaAs; Patterned Si substrates; Scanning X-ray nano-diffraction; Room-temperature photoluminescence; X-ray detectors},
   language = {eng},
   issn = {0040-6090},
   journal = {Thin Solid Films},
   title = {3D Heteroepitaxy of Mismatched Semiconductors on Silicon},
   url = {http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609013017057},
   volume = {557},
   year = {2014}
}

TY  - JOUR
ID  - 1174235
AU  - Falub, Claudiu Valentin - Kreiliger, Thomas - Isa, Fabio - Taboada, Alfonso - Meduňa, Mojmír - Pezzoli, Fabio - Bergamaschini, Roberto - Marzegalli, Anna - Müller, Elisabeth - Chrastina, Daniel - Isella, Giovanni - Neels, Antonia - Niedermann, Philippe - Dommann, Alex - Miglio, Leo - von Känel, Hans
PY  - 2014
TI  - 3D Heteroepitaxy of Mismatched Semiconductors on Silicon
JF  - Thin Solid Films
VL  - 557
IS  - 30 April 2014
SP  - 42-49
EP  - 42-49
PB  - Elsevier
SN  - 00406090
KW  - Monolithic integration
KW  - Epitaxial growth
KW  - Ge
KW  - GaAs
KW  - Patterned Si substrates
KW  - Scanning X-ray nano-diffraction
KW  - Room-temperature photoluminescence
KW  - X-ray detectors
UR  - http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609013017057
L2  - http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609013017057
N2  - We present a method for monolithically integrating mismatched semiconductor materials with Si, coined three-dimensional (3D) heteroepitaxy. The method comprises the replacement of conventional, continuous epilayers by dense arrays of strain- and defect-free, micron-sized crystals.
ER  -

FALUB, Claudiu Valentin; Thomas KREILIGER; Fabio ISA; Alfonso TABOADA; Mojmír MEDUŇA; Fabio PEZZOLI; Roberto BERGAMASCHINI; Anna MARZEGALLI; Elisabeth MÜLLER; Daniel CHRASTINA; Giovanni ISELLA; Antonia NEELS; Philippe NIEDERMANN; Alex DOMMANN; Leo MIGLIO a Hans VON KÄNEL. 3D Heteroepitaxy of Mismatched Semiconductors on Silicon. \textit{Thin Solid Films}. Lausanne (Switzerland): Elsevier, 2014, roč.~557, 30 April 2014, s.~42-49. ISSN~0040-6090. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.10.094.

Přehled o publikaci