J 2014

3D Heteroepitaxy of Mismatched Semiconductors on Silicon

FALUB, Claudiu Valentin; Thomas KREILIGER; Fabio ISA; Alfonso TABOADA; Mojmír MEDUŇA et. al.

Základní údaje

Originální název

3D Heteroepitaxy of Mismatched Semiconductors on Silicon

Název česky

3D heteroepitaxe nepřízpůsobených polovodičů na křemíku

Autoři

FALUB, Claudiu Valentin (642 Rumunsko); Thomas KREILIGER (756 Švýcarsko); Fabio ISA (380 Itálie); Alfonso TABOADA (724 Španělsko); Mojmír MEDUŇA (203 Česká republika, garant, domácí); Fabio PEZZOLI (380 Itálie); Roberto BERGAMASCHINI (380 Itálie); Anna MARZEGALLI (380 Itálie); Elisabeth MÜLLER (756 Švýcarsko); Daniel CHRASTINA (826 Velká Británie a Severní Irsko); Giovanni ISELLA (380 Itálie); Antonia NEELS (756 Švýcarsko); Philippe NIEDERMANN (756 Švýcarsko); Alex DOMMANN (756 Švýcarsko); Leo MIGLIO (380 Itálie) a Hans VON KÄNEL (756 Švýcarsko)

Vydání

Thin Solid Films, Lausanne (Switzerland), Elsevier, 2014, 0040-6090

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Nizozemské království

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

Impakt faktor

Impact factor: 1.759

Kód RIV

RIV/00216224:14740/14:00075285

Organizační jednotka

Středoevropský technologický institut

UT WoS

000333968300009

EID Scopus

2-s2.0-84897915576

Klíčová slova česky

monolitiocka integrace; epitaxní růst; Ge; GaAs; vzorkované Si substráty; skenovací rtg nanodifrakce; luminescence za pokojové teploty; rtg detektory

Klíčová slova anglicky

Monolithic integration; Epitaxial growth; Ge; GaAs; Patterned Si substrates; Scanning X-ray nano-diffraction; Room-temperature photoluminescence; X-ray detectors

Štítky

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 13. 3. 2018 10:44, Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.

Anotace

V originále

We present a method for monolithically integrating mismatched semiconductor materials with Si, coined three-dimensional (3D) heteroepitaxy. The method comprises the replacement of conventional, continuous epilayers by dense arrays of strain- and defect-free, micron-sized crystals.

Česky

Prezentujeme metodu pro monolitickou integraci nepřizpůsoobených polovodičových materiálů s Si, s šD epitaxí.

Návaznosti

CZ.1.07/2.4.00/17.0006, interní kód MU
Název: Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery
Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery, 2.4 Partnerství a sítě
ED1.1.00/02.0068, projekt VaV
Název: CEITEC - central european institute of technology
EE2.3.20.0027, projekt VaV
Název: Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano a mikrotechnologií