2014
3D Heteroepitaxy of Mismatched Semiconductors on Silicon
FALUB, Claudiu Valentin; Thomas KREILIGER; Fabio ISA; Alfonso TABOADA; Mojmír MEDUŇA et. al.Základní údaje
Originální název
3D Heteroepitaxy of Mismatched Semiconductors on Silicon
Název česky
3D heteroepitaxe nepřízpůsobených polovodičů na křemíku
Autoři
FALUB, Claudiu Valentin (642 Rumunsko); Thomas KREILIGER (756 Švýcarsko); Fabio ISA (380 Itálie); Alfonso TABOADA (724 Španělsko); Mojmír MEDUŇA (203 Česká republika, garant, domácí); Fabio PEZZOLI (380 Itálie); Roberto BERGAMASCHINI (380 Itálie); Anna MARZEGALLI (380 Itálie); Elisabeth MÜLLER (756 Švýcarsko); Daniel CHRASTINA (826 Velká Británie a Severní Irsko); Giovanni ISELLA (380 Itálie); Antonia NEELS (756 Švýcarsko); Philippe NIEDERMANN (756 Švýcarsko); Alex DOMMANN (756 Švýcarsko); Leo MIGLIO (380 Itálie) a Hans VON KÄNEL (756 Švýcarsko)
Vydání
Thin Solid Films, Lausanne (Switzerland), Elsevier, 2014, 0040-6090
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Nizozemské království
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Odkazy
Impakt faktor
Impact factor: 1.759
Kód RIV
RIV/00216224:14740/14:00075285
Organizační jednotka
Středoevropský technologický institut
UT WoS
000333968300009
EID Scopus
2-s2.0-84897915576
Klíčová slova česky
monolitiocka integrace; epitaxní růst; Ge; GaAs; vzorkované Si substráty; skenovací rtg nanodifrakce; luminescence za pokojové teploty; rtg detektory
Klíčová slova anglicky
Monolithic integration; Epitaxial growth; Ge; GaAs; Patterned Si substrates; Scanning X-ray nano-diffraction; Room-temperature photoluminescence; X-ray detectors
Štítky
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 13. 3. 2018 10:44, Mgr. Mojmír Meduňa, Ph.D.
V originále
We present a method for monolithically integrating mismatched semiconductor materials with Si, coined three-dimensional (3D) heteroepitaxy. The method comprises the replacement of conventional, continuous epilayers by dense arrays of strain- and defect-free, micron-sized crystals.
Česky
Prezentujeme metodu pro monolitickou integraci nepřizpůsoobených polovodičových materiálů s Si, s šD epitaxí.
Návaznosti
CZ.1.07/2.4.00/17.0006, interní kód MU |
| ||
ED1.1.00/02.0068, projekt VaV |
| ||
EE2.3.20.0027, projekt VaV |
|