2014
Zařízení pro měření rekombinačních procesů v epitaxních vrstvách křemíku
BOČÁNEK, Luděk a Josef HUMLÍČEKZákladní údaje
Originální název
Zařízení pro měření rekombinačních procesů v epitaxních vrstvách křemíku
Název anglicky
Apparatus for measuring recombinant processes in silicon epitaxial layers
Autoři
BOČÁNEK, Luděk (203 Česká republika, domácí) a Josef HUMLÍČEK (203 Česká republika, garant, domácí)
Vydání
2014
Další údaje
Jazyk
čeština
Typ výsledku
Výsledky s právní ochranou
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Česká republika
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Kód RIV
RIV/00216224:14310/14:00073273
Organizační jednotka
Přírodovědecká fakulta
Klíčová slova česky
epitaxní křemíkové vrstvy; rekombinace; doba života
Klíčová slova anglicky
epitaxial silicon layers; recombination; carrier lifetime
Změněno: 2. 4. 2015 15:01, Ing. Andrea Mikešková
V originále
Zařízení pro sledování rekombinačních procesů v epitaxních vrstvách křemíku umožňuje měřit elektrické proudy napříč strukturou. Pro měření proudů se využívá kontakt epitaxní vrstvy s polopropustnou kovovou elektrodou, přes kterou jsou nosiče excitovány světelnými pulsy vycházejícími z optického vlákna.
Anglicky
Equipment for monitoring recombination processes in the epitaxial silicon layers is designed to measure electrical currents across the structure. The contact of epitaxial layer with a semitransparent metal electrode is used to measure the current of carriers excited by light pulses from an optical fiber.
Návaznosti
| TA01010078, projekt VaV |
|