2014
Island size evolution and molecular diffusion during growth of organic thin films followed by time-resolved specular and off-specular scattering
FRANK, Christian; Jiří NOVÁK; Rupak BANERJEE; Alexander GERLACH; Frank SCHREIBER et. al.Základní údaje
Originální název
Island size evolution and molecular diffusion during growth of organic thin films followed by time-resolved specular and off-specular scattering
Název česky
Vývoj velikosti ostrůvků a molekulární difuze během růstu tenkých vrstev organických polovodičů studovaný pomocí časově rozlišeného spekulárního a difuzního rozptylu
Autoři
FRANK, Christian; Jiří NOVÁK; Rupak BANERJEE; Alexander GERLACH; Frank SCHREIBER; Alexei VOROBIEV a Stefan KOWARIK
Vydání
Physical Review B, Maryland (USA), The American Physical Society, 2014, 1098-0121
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Spojené státy
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Odkazy
Impakt faktor
Impact factor: 3.736
Kód RIV
RIV/00216224:14740/14:00076244
Organizační jednotka
Středoevropský technologický institut
UT WoS
000339094100006
EID Scopus
2-s2.0-84904797932
Klíčová slova česky
Růst tenkých filmů; organické polovodiče; rentgenový rozptyl; depozice molekulovým svazkem
Klíčová slova anglicky
Thin film growth; organic semiconductors; X-ray scattering; molecular beam deposition
Štítky
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 2. 4. 2015 08:45, Martina Prášilová
V originále
We report on a combined off-specular and specular x-ray scattering growth study of ultrathin films of the prototypical organic semiconductor diindenoperylene (DIP, C32H16). We investigate the evolution of the in-plane correlation length and the growth kinetics of the films including their dependence on the substrate temperature and the growth rate. We observe a temperature-dependent collective rearrangement of DIP molecules from a transient surface induced to the thin-film phase, which can be rationalized by incorporating a thickness-dependent out-of-plane lattice parameter. We further observe that the nucleation behavior of DIP changes from the first to the second monolayer, which we relate to a difference in the diffusion length of the molecules.
Česky
Článek popisuje výsledky kombinované studie ultra-tenkých vrstev prototypického organického polovodiče diindenoperylenu (DIP, C32H16) pomocí difuzního a spekulárního rozptylu rentgenového záření. Zkoumáme vývoj laterálních korelačních délek a růstovou kinetiku včetně jejich závislosti na teplotě substrátu a rychlosti růstu. Pozorujeme teplotně závislé kolektivní přeuspořádání DIP molekul z přechodné povrchově indukované tenkovrstvé fáze, které může být vysvětleno zavedením závislosti mřížkového parametru ve směru růstu na tloušťce vrstvy. Dále pozorujeme odlišnou nukleaci DIP molekul v první a druhé mono-vrstvě, která je důsledkem rozdílu v laterálních difuzních délkách molekul v daných vrstvách.
Návaznosti
| ED1.1.00/02.0068, projekt VaV |
| ||
| 286154, interní kód MU |
|