2014
Island size evolution and molecular diffusion during growth of organic thin films followed by time-resolved specular and off-specular scattering
FRANK, Christian, Jiří NOVÁK, Rupak BANERJEE, Alexander GERLACH, Frank SCHREIBER et. al.Základní údaje
Originální název
Island size evolution and molecular diffusion during growth of organic thin films followed by time-resolved specular and off-specular scattering
Název česky
Vývoj velikosti ostrůvků a molekulární difuze během růstu tenkých vrstev organických polovodičů studovaný pomocí časově rozlišeného spekulárního a difuzního rozptylu
Autoři
FRANK, Christian (276 Německo), Jiří NOVÁK (203 Česká republika, garant, domácí), Rupak BANERJEE (356 Indie), Alexander GERLACH (276 Německo), Frank SCHREIBER (276 Německo), Alexei VOROBIEV (643 Rusko) a Stefan KOWARIK (276 Německo)
Vydání
Physical Review B, Maryland (USA), The American Physical Society, 2014, 1098-0121
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Spojené státy
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Odkazy
Impakt faktor
Impact factor: 3.736
Kód RIV
RIV/00216224:14740/14:00076244
Organizační jednotka
Středoevropský technologický institut
UT WoS
000339094100006
Klíčová slova česky
Růst tenkých filmů; organické polovodiče; rentgenový rozptyl; depozice molekulovým svazkem
Klíčová slova anglicky
Thin film growth; organic semiconductors; X-ray scattering; molecular beam deposition
Štítky
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 2. 4. 2015 08:45, Martina Prášilová
V originále
We report on a combined off-specular and specular x-ray scattering growth study of ultrathin films of the prototypical organic semiconductor diindenoperylene (DIP, C32H16). We investigate the evolution of the in-plane correlation length and the growth kinetics of the films including their dependence on the substrate temperature and the growth rate. We observe a temperature-dependent collective rearrangement of DIP molecules from a transient surface induced to the thin-film phase, which can be rationalized by incorporating a thickness-dependent out-of-plane lattice parameter. We further observe that the nucleation behavior of DIP changes from the first to the second monolayer, which we relate to a difference in the diffusion length of the molecules.
Česky
Článek popisuje výsledky kombinované studie ultra-tenkých vrstev prototypického organického polovodiče diindenoperylenu (DIP, C32H16) pomocí difuzního a spekulárního rozptylu rentgenového záření. Zkoumáme vývoj laterálních korelačních délek a růstovou kinetiku včetně jejich závislosti na teplotě substrátu a rychlosti růstu. Pozorujeme teplotně závislé kolektivní přeuspořádání DIP molekul z přechodné povrchově indukované tenkovrstvé fáze, které může být vysvětleno zavedením závislosti mřížkového parametru ve směru růstu na tloušťce vrstvy. Dále pozorujeme odlišnou nukleaci DIP molekul v první a druhé mono-vrstvě, která je důsledkem rozdílu v laterálních difuzních délkách molekul v daných vrstvách.
Návaznosti
| ED1.1.00/02.0068, projekt VaV |
| ||
| 286154, interní kód MU |
|