Raman and interband optical spectra of epitaxial layers of the topological insulators Bi2Te3 and Bi2Se3 on BaF2 substrates

HUMLÍČEK, Josef, Dušan HEMZAL, Adam DUBROKA, Ondřej CAHA, Hubert STEINER, Gunther BAUER a Guenther SPRINGHOLZ. Raman and interband optical spectra of epitaxial layers of the topological insulators Bi2Te3 and Bi2Se3 on BaF2 substrates. Physica Scripta. Bristol (England): Royal Swedish Academy of Sciences, 2014, T162, September, s. "nestránkováno", 4 s. ISSN 0031-8949. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1088/0031-8949/2014/T162/014007.

Základní údaje

• Originální název: Raman and interband optical spectra of epitaxial layers of the topological insulators Bi2Te3 and Bi2Se3 on BaF2 substrates
• Název česky: Ramanská a mezipásová optická spektra epitaxních vrstev topologických izolátorů Bi2Te3 a Bi2Se3 na substrátech BaF2
• Autoři: HUMLÍČEK, Josef (203 Česká republika, garant, domácí), Dušan HEMZAL (203 Česká republika, domácí), Adam DUBROKA (203 Česká republika, domácí), Ondřej CAHA (203 Česká republika, domácí), Hubert STEINER (40 Rakousko), Gunther BAUER (40 Rakousko) a Guenther SPRINGHOLZ (40 Rakousko).
• Vydání: Physica Scripta, Bristol (England), Royal Swedish Academy of Sciences, 2014, 0031-8949.

Další údaje

• Originální jazyk: angličtina
• Typ výsledku: Článek v odborném periodiku
• Obor: 10302 Condensed matter physics
• Stát vydavatele: Velká Británie a Severní Irsko
• Utajení: není předmětem státního či obchodního tajemství
• WWW: URL
• Impakt faktor: Impact factor: 1.126
• Kód RIV: RIV/00216224:14740/14:00074283
• Organizační jednotka: Středoevropský technologický institut
• Doi: http://dx.doi.org/10.1088/0031-8949/2014/T162/014007
• UT WoS: 000349832200008
• Klíčová slova anglicky: bismuth tellurides; bismuth selenides; Raman spectra; ellipsometric spectra; epitaxial layers
• Štítky: kontrola MP, rivok
• Příznaky: Mezinárodní význam, Recenzováno

Anotace

We report results of Raman and ellipsometric spectroscopy of the topological insulators Bi2Te3 and Bi2Se3 grown by molecular beam epitaxy on BaF2 (111) substrates. Surfaces and interfaces of the films are probed by Raman scattering from the front and back sides of the samples, which is possible owing to the transparent substrate. Surface modifications induced by intense illumination with exciting laser light have been detected, with excess tellurium at the surface during and after exposure. We also report data for thin epilayers containing a fractional number of unit cells and/or incomplete Bi2Te3 and Bi2Se3 quintuples. We have used spectroellipsometric measurements to obtain response functions and have derived the penetration depth of light in the 1.0–6.5 eV range.

Anotace česky

We report results of Raman and ellipsometric spectroscopy of the topological insulators Bi2Te3 and Bi2Se3 grown by molecular beam epitaxy on BaF2 (111) substrates. Surfaces and interfaces of the films are probed by Raman scattering from the front and back sides of the samples, which is possible owing to the transparent substrate. Surface modifications induced by intense illumination with exciting laser light have been detected, with excess tellurium at the surface during and after exposure. We also report data for thin epilayers containing a fractional number of unit cells and/or incomplete Bi2Te3 and Bi2Se3 quintuples. We have used spectroellipsometric measurements to obtain response functions and have derived the penetration depth of light in the 1.0–6.5 eV range.

Návaznosti

• ED1.1.00/02.0068, projekt VaV: Název: CEITEC - central european institute of technology
• GAP204/12/0595, projekt VaV: Název: Elektronové a strukturní vlastnosti trojrozměrných topologických izolantů

Investor: Grantová agentura ČR, Elektronové a strukturní vlastnosti trojrozměrných topologických izolantů