GALMIZ, Oleksandr, Monika STUPAVSKÁ, Harm WULFF, Holger KERSTEN, Antonín BRABLEC a Mirko ČERNÁK. Deposition of Zn-containing films using atmospheric pressure plasma jet. Open chemistry. De Gruyter Open, 2014, roč. 13, č. 1, s. 198-203. ISSN 2391-5420. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1515/chem-2015-0020.
Další formáty:   BibTeX LaTeX RIS
Základní údaje
Originální název Deposition of Zn-containing films using atmospheric pressure plasma jet
Autoři GALMIZ, Oleksandr (804 Ukrajina, domácí), Monika STUPAVSKÁ (703 Slovensko, domácí), Harm WULFF (276 Německo), Holger KERSTEN (276 Německo), Antonín BRABLEC (203 Česká republika, garant, domácí) a Mirko ČERNÁK (703 Slovensko, domácí).
Vydání Open chemistry, De Gruyter Open, 2014, 2391-5420.
Další údaje
Originální jazyk angličtina
Typ výsledku Článek v odborném periodiku
Obor 10305 Fluids and plasma physics
Stát vydavatele Německo
Utajení není předmětem státního či obchodního tajemství
WWW URL
Kód RIV RIV/00216224:14310/14:00079196
Organizační jednotka Přírodovědecká fakulta
Doi http://dx.doi.org/10.1515/chem-2015-0020
UT WoS 000355403100023
Klíčová slova anglicky Atmospheric pressure plasma jet; film deposition; zinc.
Štítky AKR
Příznaky Mezinárodní význam, Recenzováno
Změnil Změnila: Mgr. Marie Šípková, DiS., učo 437722. Změněno: 24. 6. 2020 14:28.
Anotace
The aim of this work was to deposit Zn-containing films on Si substrates using the commercial atmospheric pressure plasma jet “kINPen’09”. In preliminary experiments Zn-containing films were deposited on the substrates immersed in water solutions of Zn(NO3)2.6H2O salt. The surface composition of deposited films was analyzed by XPS (X-ray photoelectron spectroscopy) technique while the bulk composition was studied by means of XRD (X-ray diffraction) mesurements. The film thickness was measured by a profilometer. We have found out, that the concentration of the zinc nitrate solution as well as changes in the deposition time result in a large fluctuation of the deposited film thickness. However, the successful deposition of the Zn-containing films on the Si substrate was definitely confirmed
Návaznosti
ED2.1.00/03.0086, projekt VaVNázev: Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy
EE2.3.30.0009, projekt VaVNázev: Zaměstnáním čerstvých absolventů doktorského studia k vědecké excelenci
VytisknoutZobrazeno: 11. 5. 2024 23:52