Air-stable, non-volatile resistive memory based on hybrid
organic/inorganic nanocomposites

J 2015

Air-stable, non-volatile resistive memory based on hybrid organic/inorganic nanocomposites

CASULA, Giulia; Piero COSSEDDU; Yan BUSBY; Jean-Jacques PIREAUX; Marcin ROSOWSKI et al.

Základní údaje

Originální název

Air-stable, non-volatile resistive memory based on hybrid organic/inorganic nanocomposites

Název česky

Na vzduchu stabilní stálé odporové paměti založené na hybridních organických/anorganických nanokompozitech

Autoři

Vydání

ORGANIC ELECTRONICS, AMSTERDAM, ELSEVIER SCIENCE BV, 2015, 1566-1199

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Článek v odborném periodiku

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Nizozemské království

Utajení

není předmětem státního či obchodního tajemství

Odkazy

URL

Impakt faktor

Impact factor: 3.471

Označené pro přenos do RIV

Ano

Kód RIV

RIV/00216224:14740/15:00082521

Organizační jednotka

Středoevropský technologický institut

Klíčová slova česky

organické paměti; odporové přepínání; kovové nano-částice; vláknová vodivost

Klíčová slova anglicky

Organic memories; Resistive switching; Metal nanoparticles; Filamentary conduction

Štítky

hybrid composites, non-volatile memories, resistive memories, rivok

Příznaky

Mezinárodní význam, Recenzováno

Změněno: 22. 3. 2016 14:46, Mgr. Eva Špillingová

Anotace

ORIG CZ

V originále

A non-volatile memory element based on organic/inorganic nanocomposites is presented. The device can be operated in ambient conditions, showing high retention time and long-term life time. The formation/rupture of metallic filaments in the organic matrix is investigated by HR-XPS and ToF-SIMS analysis, and is demonstrated to be the driving mechanism for the resistive switching.

Česky

V publikaci prezentujeme stálé paměťové články založené na organických/anorganických kompozitech. Součástky mohou být provozovány v běžném prostředí a vykazují dlouhou paměťovou dobu a životnost. Tvoření a zpřetrhání kovových vláken v organické matice je zkoumáno pomocí HR-XPS a ToF-SIMS analýzy a je ukázáno, že je zodpovědné za přepínání mezi vysoko- a nízko-odporovým stavem.

Návaznosti

ED1.1.00/02.0068, projekt VaV

Název: CEITEC - central european institute of technology

Citovat

CASULA, Giulia; Piero COSSEDDU; Yan BUSBY; Jean-Jacques PIREAUX; Marcin ROSOWSKI; Beata Tkacz SZCZESNA; Katarzyna SOLIWODA; Grzegorz CELICHOWSKI; Jaroslaw GROBELNY; Jiří NOVÁK; Rupak BANERJEE; Frank SCHREIBER a Annalisa BONFIGLIO. Air-stable, non-volatile resistive memory based on hybrid organic/inorganic nanocomposites. ORGANIC ELECTRONICS. AMSTERDAM: ELSEVIER SCIENCE BV, 2015, roč. 18, March, s. 17-23. ISSN 1566-1199. Dostupné z: https://doi.org/10.1016/j.orgel.2015.01.001.

@article{1230153,
   author = {Casula, Giulia and Cosseddu, Piero and Busby, Yan and Pireaux, JeanandJacques and Rosowski, Marcin and Szczesna, Beata Tkacz and Soliwoda, Katarzyna and Celichowski, Grzegorz and Grobelny, Jaroslaw and Novák, Jiří and Banerjee, Rupak and Schreiber, Frank and Bonfiglio, Annalisa},
   article_location = {AMSTERDAM},
   article_number = {March},
   doi = {https://doi.org/10.1016/j.orgel.2015.01.001},
   keywords = {Organic memories; Resistive switching; Metal nanoparticles; Filamentary conduction},
   language = {eng},
   issn = {1566-1199},
   journal = {ORGANIC ELECTRONICS},
   title = {Air-stable, non-volatile resistive memory based on hybrid organic/inorganic nanocomposites},
   url = {http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1566119915000026},
   volume = {18},
   year = {2015}
}

TY  - JOUR
ID  - 1230153
AU  - Casula, Giulia - Cosseddu, Piero - Busby, Yan - Pireaux, Jean-Jacques - Rosowski, Marcin - Szczesna, Beata Tkacz - Soliwoda, Katarzyna - Celichowski, Grzegorz - Grobelny, Jaroslaw - Novák, Jiří - Banerjee, Rupak - Schreiber, Frank - Bonfiglio, Annalisa
PY  - 2015
TI  - Air-stable, non-volatile resistive memory based on hybrid organic/inorganic nanocomposites
JF  - ORGANIC ELECTRONICS
VL  - 18
IS  - March
SP  - 17-23
EP  - 17-23
PB  - ELSEVIER SCIENCE BV
SN  - 15661199
KW  - Organic memories
KW  - Resistive switching
KW  - Metal nanoparticles
KW  - Filamentary conduction
UR  - http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1566119915000026
L2  - http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1566119915000026
N2  - A non-volatile memory element based on organic/inorganic nanocomposites is presented. The device can be operated in ambient conditions, showing high retention time and long-term life time. The formation/rupture of metallic filaments in the organic matrix is investigated by HR-XPS and ToF-SIMS analysis, and is demonstrated to be the driving mechanism for the resistive switching.
ER  -

CASULA, Giulia; Piero COSSEDDU; Yan BUSBY; Jean-Jacques PIREAUX; Marcin ROSOWSKI; Beata Tkacz SZCZESNA; Katarzyna SOLIWODA; Grzegorz CELICHOWSKI; Jaroslaw GROBELNY; Jiří NOVÁK; Rupak BANERJEE; Frank SCHREIBER a Annalisa BONFIGLIO. Air-stable, non-volatile resistive memory based on hybrid organic/inorganic nanocomposites. \textit{ORGANIC ELECTRONICS}. AMSTERDAM: ELSEVIER SCIENCE BV, 2015, roč.~18, March, s.~17-23. ISSN~1566-1199. Dostupné z: https://doi.org/10.1016/j.orgel.2015.01.001.

Přehled o publikaci