V 2014

Metrology of epitaxial layers *GaN

CAHA, Ondřej, Chennan WANG, Filip MÜNZ a Josef HUMLÍČEK

Základní údaje

Originální název

Metrology of epitaxial layers *GaN

Název česky

Metrologie GaN

Autoři

CAHA, Ondřej (203 Česká republika, domácí), Chennan WANG (156 Čína, domácí), Filip MÜNZ (203 Česká republika, domácí) a Josef HUMLÍČEK (203 Česká republika, garant, domácí)

Vydání

Masarykova univerzita, Brno, 67 s. Report LDDA 2014, 2014

Nakladatel

ONSEMI

Další údaje

Jazyk

angličtina

Typ výsledku

Výzkumná zpráva

Obor

10302 Condensed matter physics

Stát vydavatele

Česká republika

Utajení

obsah podléhá obchodnímu tajemství

Kód RIV

RIV/00216224:14740/14:00079942

Organizační jednotka

Středoevropský technologický institut

Klíčová slova anglicky

layered structures; GaN; AlGaN; silicon

Štítky

Změněno: 10. 4. 2015 15:32, Olga Křížová

Anotace

ORIG CZ

V originále

*Utilization of characterization methods for development of *Al/GaN epitaxial technology. Evaluating the feasibility of MOCVD epitaxial growth of HEMT materials including structure characteristics and characterization methods. · Perform characterization of optical properties of *Al/GaN layered system and propose metrology for layer thickness estimation. · Perform correlation of measurement with FTIR system. · Develop x-ray methods for characterization of defects in epitaxial *Al/GaN layers. · Develop x-ray methods for fast analysis of composition of epitaxial *Al/GaN layers.

Česky

Použití charakterizačních metof pro vývoj epitaxní technologie Al/GaN. Posouzení proveditelnosti vytváření struktur HEMT pomocí epitaxního růstu MOVPE, strukturní charakteristiky a charakterizační metody. · Chrakterizace optických vlastností vrstevnatých struktur Al/GaN a návrh metrologie tloušťek. · Korelační měření systémem FTIR. · Vývoj rentgenových metod pro charakterizaci defektů v epitaxních vrstvách Al/GaN. · Vývoj rentgenových metod pro rychlou analýzu složení epitaxních vrstev Al/GaN.