2015
Planar defects and dislocations in transition-metal disilicides
PAIDAR, Václav; M. ČÁK; Mojmír ŠOB a H. INUIZákladní údaje
Originální název
Planar defects and dislocations in transition-metal disilicides
Autoři
PAIDAR, Václav (203 Česká republika); M. ČÁK (276 Německo); Mojmír ŠOB (203 Česká republika, garant, domácí) a H. INUI (392 Japonsko)
Vydání
Intermetallics, Oxford, Elsevier Science Ltd, 2015, 0966-9795
Další údaje
Jazyk
angličtina
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
10302 Condensed matter physics
Stát vydavatele
Velká Británie a Severní Irsko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Odkazy
Impakt faktor
Impact factor: 2.541
Kód RIV
RIV/00216224:14740/15:00081238
Organizační jednotka
Středoevropský technologický institut
UT WoS
000348626600007
EID Scopus
2-s2.0-84912143875
Klíčová slova anglicky
Intermetallics; Dislocation structure; Planar faults; Ab-initio calculations
Štítky
Příznaky
Mezinárodní význam, Recenzováno
Změněno: 27. 11. 2015 09:23, Martina Prášilová
Anotace
V originále
The structures of transition-metal disilicides are constituted of different stacking of identical atomic planes at four different positions A, B, C, D: AB in C11(b) structure of e.g. MoSi2, ABC in C40 structure of e.g. VSi2 and ABDC in C54 structure of e.g. TiSi2 disilicides. In comparison with the FCC lattice with the ABC atomic plane stacking along the <111> directions, the occurrence of the fourth position, D, essentially alters the properties of defects and consequently the mechanical properties. The effect of generalized planar defects and their impacts on the dislocation core structures are discussed. In particular, we examine stacking faults and related partial dislocations on the basal planes in different types of disilicides as well as the related twin boundaries and dissociated dislocations. Our analysis of the stacking-fault-like defects is based on the calculations of gamma-surfaces using ab initio methods. Predictions of possible metastable defects in all types of disilicides are reported. (C) 2014 Elsevier Ltd. All rights reserved.
Návaznosti
ED1.1.00/02.0068, projekt VaV |
| ||
GA14-22490S, projekt VaV |
|