Three-dimensional Ge/SiGe multiple quantum wells deposited on Si(001) and Si(111) patterned substrates

ISA, Fabio, Fabio PEZZOLI, G. ISELLA, Mojmír MEDUŇA, C.V. FALUB, E. MÜLLER, Thomas KREILIGER, A. G. TABOADA, Hans VON KAENEL a Leo MIGLIO. Three-dimensional Ge/SiGe multiple quantum wells deposited on Si(001) and Si(111) patterned substrates. Semiconductor Science and Technology. Bristol (Velká Britanie): IOP Publishing Ltd, 2015, roč. 30, č. 10, s. nestránkováno, 9 s. ISSN 0268-1242. Dostupné z: https://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/30/10/105001.

Základní údaje

• Originální název: Three-dimensional Ge/SiGe multiple quantum wells deposited on Si(001) and Si(111) patterned substrates
• Název česky: 3D Ge/SiGe mnohonásobné kvantové jámy deponované na Si(001) a Si(111) vzorkované substráty
• Autoři: ISA, Fabio (380 Itálie), Fabio PEZZOLI (380 Itálie), G. ISELLA (380 Itálie), Mojmír MEDUŇA (203 Česká republika, garant, domácí), C.V. FALUB (642 Rumunsko), E. MÜLLER (756 Švýcarsko), Thomas KREILIGER (756 Švýcarsko), A. G. TABOADA (724 Španělsko), Hans VON KAENEL (756 Švýcarsko) a Leo MIGLIO (380 Itálie).
• Vydání: Semiconductor Science and Technology, Bristol (Velká Britanie), IOP Publishing Ltd, 2015, 0268-1242.

Další údaje

• Originální jazyk: angličtina
• Typ výsledku: Článek v odborném periodiku
• Obor: 10302 Condensed matter physics
• Stát vydavatele: Velká Británie a Severní Irsko
• Utajení: není předmětem státního či obchodního tajemství
• Impakt faktor: Impact factor: 2.098
• Kód RIV: RIV/00216224:14740/15:00085353
• Organizační jednotka: Středoevropský technologický institut
• Doi: http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/30/10/105001
• UT WoS: 000362602300009
• Klíčová slova česky: mnohonásobné kvantové jámy; Si Ge; fotoluminiscence; epitaxe, kvalita krystalů
• Klíčová slova anglicky: multiple quantum wells; silicon germanium; photoluminescence; epitaxy; crystal quality
• Štítky: rivok
• Příznaky: Mezinárodní význam, Recenzováno

Anotace

In this work we address three-dimensional heterojunctions, demonstrating that photoluminescence from defect-free, Ge/SiGe multiple quantum well (MQW) micro-crystals grown on deeply patterned Si(001) and Si(111) substrates exhibit similar radiative intensity and analogous spectral shape.

Anotace česky

V této práci prezentujeme 3D heteropřechody ukazující, že fotoluminescence z bezdefektních Ge/SiGe mnohonásobných kvantových jam (MQW) mikrokrystalů pěstovaných na hluboce vzorkovaných Si(001) a Si(111) substrátech vykazují podobné radiační intenzity a analogický spektrální tvar.

Návaznosti

• ED1.1.00/02.0068, projekt VaV: Název: CEITEC - central european institute of technology
• EE2.3.20.0027, projekt VaV: Název: Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano a mikrotechnologií
• LM2011020, projekt VaV: Název: CEITEC ? open access

Investor: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR, CEITEC - open access